[发明专利]表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片有效
| 申请号： | 201410394782.1 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104201196B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 倪金玉;潘磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L21/205;C30B25/22 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片，其特征是包括Si衬底、二层AlN成核层、三层Al组分递减的AlxGa1−xN中间层、一层AlaGa1‑aN/AlbGa1‑bN超晶格中间层、二层GaN沟道层、和三层势垒层自下而上依次构成。优点本发明生长的Si基III族氮化物异质结，与现有技术相比，表面质量高，无微裂纹。并且可以通过在本发明的外延层结构中采用平均Al组分较低的组分递减AlGaN中间层来达到表面形貌改善的目的，因此有助于降低金属有机物源和氨气之间预反应的影响，改善外延层的晶体质量，并提高外延层的生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 裂纹 si iii 氮化物 外延 | ||
【主权项】：
表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片，其特征是包括Si衬底、二层AlN成核层、三层Al组分递减的AlxGa1−xN中间层、一层AlaGa1‑aN/AlbGa1‑bN超晶格中间层、二层GaN沟道层、和三层势垒层自下而上依次构成，表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片的生长方法，包括如下步骤：采用金属有机物化学气相淀积MOCVD工艺，1）采用直径101.6mm的111面单晶Si为衬底，在进行氮化物外延层的生长之前，通过氢氟酸基的腐蚀液去除Si衬底表面的氧化膜，然后，将它置于MOCVD设备的反应室中；2）在反应室压力为6.65kPa的氢气气氛下加热Si衬底到1000oC，进行10min的热退火；3）维持反应室压力不变，将衬底温度降低到900oC，通入流速为10L/min的氨气和流速为86μmol/min的三甲基铝TMA，生长厚度为100nm的第一AlN成核层，生长时间为1800s，接着将衬底温度提高到1030oC，在源流速不变的条件下，生长厚度为100nm的第二AlN成核层，生长时间为1800s；4）向反应室中通入流速为86μmol/min的TMA，23μmol/min的三甲基镓TMG和6L/min的氨气，生长Al组分为0.75的第一AlxGa1−xN中间层，生长厚度为350nm，生长时间为3000s，接着，通入流速为86μmol/min的TMA，61μmol/min的TMG和6L/min的氨气，生长Al组分为0.55的第二AlxGa1−xN中间层，生长厚度为500nm，生长时间为4000s，再接着，通入流速为65μmol/min的TMA，124μmol/min的TMG和6L/min的氨气，生长Al组分为0.35的第三AlxGa1−xN中间层，生长厚度为300nm，生长时间为1000s，至此，形成Al组分递减的AlxGa1−xN中间层结构；5）维持反应室压力和衬底温度不变，在第三Al组分递减的AlxGa1−xN中间层上生长60个周期10nm厚Al0.23Ga0.77N/12nm厚Al0.32Ga0.68N的AlaGa1‑aN/AlbGa1‑bN超晶格中间层；其中Al0.23Ga0.77N层生长时通入流速为86μmol/min的TMA，194μmol/min的TMG和6L/min的氨气，Al0.32Ga0.68N层生长时通入流速为86μmol/min的TMA，117μmol/min的TMG和6L/min的氨气，超晶格中间层总的厚度为1300nm，总的生长时间为4500s；6）停止向反应室通入Al源，并将衬底温度降低到1000oC，将反应室压力提高到13.3kPa，通入流速为311μmol/min的TMG和10L/min的氨气，生长厚度为500nm的第一GaN沟道层，生长时间为600s，接着将反应室压力进一步提高到66.5kPa，在源流速不变的条件下，生长厚度为400nm的GaN层，生长时间为1000s；7）将衬底温度提高到1030oC，并将反应室压力降低到13.3kPa，通入流速为52μmol/min的TMA和6L/min的氨气，生长厚度为1nm的AlN插入层，通入流速为32μmol/min的TMA，74μmol/min的TMG和6L/min的氨气，生长Al组分为0.25的Al0.25Ga0.75N有源层，生长厚度为25nm，通入流速为194μmol/min的TMG和10L/min的氨气，生长厚度为3nm的GaN盖帽层，至此，形成包含AlN插入层、Al0.25Ga0.75N有源层和GaN盖帽层的势垒层；至此，表面平整光滑，无微裂纹的Si基Al0.25Ga0.75N/GaN异质结材料生长完成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410394782.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种实现PN结整流特性的结构-201810364841.9
- 吴海燕;马紫光;胡巍;乐艮;贾海强;陈弘 - 中国科学院物理研究所
- 2018-04-23 - 2019-10-29 - H01L29/15
- 本发明提供一种实现PN结整流特性的结构，包括：衬底、以及从所述衬底向上依次排列的第一n‑GaN层、第一InGaN量子阱层、第一GaN层、AlGaN势垒层、第二GaN层、第二InGaN量子阱层和第二n‑GaN层。本发明的结构能够实现良好的整流特性。
- 量子点器件中的栅极布置-201910135892.9
- N.K.托马斯;R.皮拉里塞蒂;K.辛格;H.C.乔治;J.M.罗伯茨;D.J.米夏拉克;R.考迪洛;Z.R.约斯科维茨;L.拉姆珀特;J.S.克拉克;W.拉赫马迪 - 英特尔公司
- 2019-02-20 - 2019-08-27 - H01L29/15
- 在本文中公开了量子点器件，以及相关的计算设备和方法。例如，在一些实施例中，量子点器件可以包括：量子阱堆叠；在量子阱堆叠上面的一层栅极电介质；在该层栅极电介质上面的第一栅极金属和第二栅极金属；以及在第一栅极金属与第二栅极金属之间的栅极壁，其中该栅极壁在该层栅极电介质上面，并且该栅极壁包括第一介电材料和与第一介电材料不同的第二介电材料。
- 调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法-201710017041.5
- 俞金玲;曾晓琳;程树英;陈涌海;赖云锋;郑巧 - 福州大学
- 2017-01-11 - 2019-07-09 - H01L29/15
- 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法。该方法通过改变样品温度有效调控了GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；其次，调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，并使激光入射角为30°；最后，将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。本发明方法可行性高，调控效果显著，且实施简便。
- 氮化镓器件和集成电路中的隔离结构-201480020252.9
- 周春华;曹建军;亚力山大·利道;R·比奇;阿兰娜·纳卡塔;罗伯特·斯特里马特;赵广元;塞沙德里·科卢里;马艳萍;刘芳昌;蒋明坤;曹佳丽 - 宜普电源转换公司
- 2014-07-02 - 2019-06-14 - H01L29/15
- 一种集成半导体器件包括基板层、配置在基板层上的缓冲层、配置在缓冲层上的氮化镓层和配置在氮化镓层上的阻挡层。另外，用于多个晶体管器件的多个欧姆接触是形成在阻挡层上。具体地，用于第一晶体管器件的多个第一欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第一部分上，而用于第二晶体管器件的多个第二欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第二部分上。
- 渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺-201610313055.7
- 张进成;黄金金;于婷;陆芹;郝跃;薛军帅;杨林安;林志宇 - 西安电子科技大学
- 2016-05-12 - 2019-01-29 - H01L29/15
- 本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n十GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In组分的InGaN子量子阱、第二GaN隔离层、n十GaN发射极欧姆接触层、圆形电极依次从下至上分布在衬底上方，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明在RTD中引入渐变In组分InGaN子量子阱和AlN材料钝化层，增大峰值电流，提高输出功率，减小器件功耗。
- 一种InP基InAlAs-InGaAs啁啾超晶格结构-201820881077.8
- 冯巍 - 新磊半导体科技（苏州）有限公司
- 2018-06-07 - 2018-12-14 - H01L29/15
- 本实用新型公开了一种InP基InAlAs‑InGaAs啁啾超晶格结构，该结构由若干个周期的交替生长的InGaAs/InAlAs组成，每个周期内有一层InAlAs和一层InGaAs，其厚度相对于前一个周期以固定的步长分别递增和递减。这种材料结构置于高/低带隙材料界面处可以为载流子在垂直方向的输运提供平滑过渡，降低载流子阻塞效。
- 一种p-AlN/i-AlN/n-ZnO结构-201721349165.5
- 杨为家;唐秀凤;刘俊杰;刘铭全;赵志诚;刘均炎;何鑫;曾庆光 - 五邑大学
- 2017-10-18 - 2018-10-02 - H01L29/15
- 本实用新型公开了p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构，包括由下至上依次排列的衬底、p‑AlN层、i‑AlN层和n‑ZnO层；本实用新型还公开了上述p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构的制备及应用；本实用新型制备得到的p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构具有结构简单、光电性能好等特点，制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点。
- 一种p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构及其制备方法、应用-201710972250.5
- 杨为家;唐秀凤;刘俊杰;刘铭全;赵志诚;刘均炎;何鑫;曾庆光 - 五邑大学
- 2017-10-18 - 2018-01-30 - H01L29/15
- 本发明公开了p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构，包括由下至上依次排列的衬底、p‑AlN层、i‑AlN层和n‑ZnO层；本发明还公开了上述p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构的制备及应用；本发明制备得到的p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构具有结构简单、光电性能好等特点，制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点。
- 包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法-201710548788.3
- 李喜林;马平;刘波亭;王军喜;李晋闽 - 中国科学院半导体研究所
- 2017-07-06 - 2017-11-24 - H01L29/15
- 本发明公开了一种包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法。其中，包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管包括衬底；成核层，形成于衬底之上；缓冲层，形成于成核层之上；沟道层，形成于缓冲层之上；势垒层，形成于沟道层之上；以及P型超晶格，形成于势垒层之上。通过在势垒层上生长P型超晶格结构，从而提高空穴浓度，耗尽沟道中的二维电子气，获得增强型高电子迁移率晶体管，且将栅极区域以外极化掺杂的P型超晶格层去除，保留这些区域的二维电子气，可以保证器件有很低的通态电阻，制备工艺简单，有利于器件的工业化生产。
- 用于硅衬底上的III‑V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层-201210487729.7
- 陈祈铭;刘柏均;喻中一 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2012-11-26 - 2017-11-21 - H01L29/15
- 本发明涉及集成电路以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括晶格匹配结构。晶格匹配结构可以包括第一缓冲区、第二缓冲区和由AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN层对形成的超晶格结构。本发明提供了用于硅衬底上的III‑V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层。
- 表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片-201410394782.1
- 倪金玉;潘磊 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2014-08-13 - 2017-07-28 - H01L29/15
- 本发明是表面无微裂纹的Si基III族氮化物外延片，其特征是包括Si衬底、二层AlN成核层、三层Al组分递减的AlxGa1−xN中间层、一层AlaGa1‑aN/AlbGa1‑bN超晶格中间层、二层GaN沟道层、和三层势垒层自下而上依次构成。优点本发明生长的Si基III族氮化物异质结，与现有技术相比，表面质量高，无微裂纹。并且可以通过在本发明的外延层结构中采用平均Al组分较低的组分递减AlGaN中间层来达到表面形貌改善的目的，因此有助于降低金属有机物源和氨气之间预反应的影响，改善外延层的晶体质量，并提高外延层的生长速率。
- 加阶梯式异质结隔离区的共振隧穿二极管-201610131515.4
- 高博;刘洋 - 四川大学
- 2016-03-09 - 2016-08-17 - H01L29/15
- 本发明公开了一种产生微分负阻的共振隧穿二极管（RTD）器件新型结构，该结构可产生毫安‑安培级输出电流，应用于太赫兹波信号源设计可产生毫瓦级输出功率的太赫兹波信号。本发明中的RTD的结构见附图。结构中采用AlzGa1‑zN/GaN/AlzGa1‑zN双势垒单势阱结构的量子阱区；发射区为重掺杂的AlxGa1‑xN；集电区是重掺杂的GaN；集电极隔离区为GaN；而发射极隔离区是AlyGa1‑yN阶梯型隔离区：AlyGa1‑yN的Al组分y由x按阶梯减小到0。理论分析和仿真在室温下（300K）进行，仿真参数是x=0.4，y从0.4按五级阶梯减小，z=0.2，仿真结果峰值电流Ip=1.59A（53mA/um2），谷值电流Iv=0.655A（21.8 mA/um2），PVCR=2.43，我们获得的输出电流比目前共振隧穿二极管研究报道中最大输出电流更大。
- 光电集成电路-201480034881.7
- G.W.泰勒 - 欧培拉太阳能公司;康涅狄格大学
- 2014-06-11 - 2016-03-02 - H01L29/15
- 半导体器件包括：衬底，支承包括与量子阱中的量子点（QD-in-QW）结构偏移的至少一个调制掺杂的量子阱（QW）结构的多个层。所述调制掺杂的QW结构包括被通过间隔壁层与至少一个QW间隔开的电荷片层。所述QD-in-QW结构具有嵌入在一个或多个QW中的QD。所述QD-in-QW结构可以包括至少一个被通过势垒层分离开的模板/发射子结构配对，所述模板子结构与所述发射子结构相比具有更小的大小的QD。
- 一种调控闪锌矿结构半导体量子阱自旋轨道耦合的方法-201510682641.4
- 俞金玲;陈涌海;程树英;赖云锋;郑巧 - 福州大学
- 2015-10-20 - 2016-02-03 - H01L29/15
- 本发明涉及一种调控闪锌矿结构半导体量子阱自旋轨道耦合的方法，通过改变闪锌矿半导体量子阱的阱宽以及在量子阱的其中一个界面上插入超薄InAs层来调控半导体量子阱的Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合的比值。此方法简单易行，调控效果明显。
- 由SiC鳍或纳米线模板制造的石墨烯纳米带和碳纳米管-201280018940.2
- G·科恩;C·D·迪米特罗普洛斯;A·格里尔 - 国际商业机器公司
- 2012-03-05 - 2014-01-08 - H01L29/15
- 从碳化硅（SiC）鳍或纳米线的模板提供半导体结构，所述半导体结构包括沿晶向取向的平行石墨烯纳米带或碳纳米管。首先提供SiC鳍或纳米线，然后通过退火在所述鳍或所述纳米线的暴露表面上形成石墨烯纳米带或碳纳米管。在其中形成闭合的碳纳米管的实施例中，纳米线在退火之前被悬置。所提供的石墨烯纳米带和碳纳米管的位置、取向和手征性由形成该石墨烯纳米带和碳纳米管所使用的对应碳化硅鳍和纳米线确定。
- 半导体器件以及在该半导体器件中使用的超晶格层-201310157632.4
- 金在均;金峻渊;卓泳助 - 三星电子株式会社
- 2013-05-02 - 2014-01-01 - H01L29/15
- 本发明提供一种半导体器件以及在该半导体器件中使用的超晶格层。该半导体器件包括：硅衬底；氮化物成核层，设置在硅衬底上；至少一个超晶格层，设置在氮化物成核层上；以及至少一个镓氮化物基半导体层，设置在超晶格层上，其中至少一个超晶格层通过重复地堆叠复合层而形成，每个复合层包括具有不同组分的多个氮化物半导体层，其中多个氮化物半导体层的至少之一根据堆叠位置而具有不同的厚度，至少一个应力控制层设置在多个氮化物半导体层之间或者设置在重复地堆叠的复合层之间，至少一个应力控制层具有超过假晶生长的临界厚度的厚度。
- 具有改进的粘合的半导体器件及制造该半导体器件的方法-201180032433.X
- V.米茨科夫斯基;H.哈莱特纳 - 克里公司
- 2011-04-22 - 2013-02-27 - H01L29/15
- 通过设置宽带隙半导体层、在该宽带隙半导体层中设置多个凹进部、以及在该多个凹进部内中设置金属栅接触来制造宽带隙半导体器件。保护层可设置在宽带隙半导体层上，该保护层具有延伸穿过其的第一开口，电介质层可设置在该保护层上，该电介质层具有延伸穿过其且比第一开口窄的第二开口，且金属栅接触可设置在第一及第二开口中。可将该金属栅接触设置为包括在多个凹进部中的势垒金属层，以及在该势垒金属层上且远离宽带隙半导体层的电流散布层。同样讨论了相关的器件及制造方法。
- 在{20-21}含镓和氮的衬底上的低压激光二极管-201080047545.8
- 詹姆斯·W·拉林;马修·施密特;克里斯托弗·波布伦斯 - 天空公司
- 2010-09-16 - 2012-11-21 - H01L29/15
- 一种低压激光器件，所述低压激光器件具有为一种或多种选择波长的光发射而构造的有源区域。
- 超级结半导体器件及其制作方法-201010553535.3
- 肖胜安;韩峰 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2010-11-22 - 2012-05-30 - H01L29/15
- 本发明公开了一种超级结半导体器件，在N+硅基板上具有交替排列的P型和N型半导体薄层结构，其中：P型杂质浓度在沿沟槽方向是变化的，在接近P/N薄层上表面的部分的杂质浓度高于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度，接近P/N薄层下表面的部分的杂质浓度低于电荷平衡时所需的P型杂质的浓度；接近P/N薄层下表面的部分的最大浓度变化梯度大于接近P/N薄层上表面的部分的最大浓度变化梯度。本发明还公开了一种超级结半导体器件的制作方法。本发明能够提高器件反向击穿电压的均匀性和器件的可靠性。
- 核/壳型纤锌矿/闪锌矿ZnS异质纳米结构及其制备方法-201010227545.8
- 钟伟;杨再兴;都有为 - 南京大学
- 2010-07-16 - 2010-12-01 - H01L29/15
- 本发明公开了核/壳型纤锌矿/闪锌矿ZnS异质纳米结构及其制备方法。异质纳米结构是直径为100～300纳米的六方纤锌矿ZnS颗粒被直径小于10纳米的立方闪锌矿ZnS纳米颗粒组成的壳层所包裹；制备方法是在内衬聚四氟乙烯不锈钢密闭容器中，以Zn(NO3)2·6H2O和单质硫原料，在乙醇和水为溶剂中反应，且利用单质硫在强碱介质中的歧化反应合成出核/壳型纤锌矿/闪锌矿ZnS异质纳米结构；反应温度为120-180℃，反应时间为10-50小时，烧碱的质量是Zn(NO3)2·6H2O的质量的1至5倍。在不需要任何模板、不需要添加任何表面活性剂的情况下，通过调节Zn和S的摩尔比，可以改变纤锌矿ZnS和闪锌矿ZnS的比例。制备工艺简单、成本低、过程容易控制。
- ABO3/TiO2/MgO/Ⅲ-V族氮化物半导体异质结构及制备方法-201010159582.X
- 朱俊;罗文博;李言荣;张鹰 - 电子科技大学
- 2010-04-29 - 2010-09-08 - H01L29/15
- ABO3/TiO2/MgO/III-V族氮化物半导体异质结构及制备方法，涉及微电子材料领域。本发明包括半导体衬底和ABO3钙钛矿结构功能氧化物薄膜，其特征在于，在衬底基片和功能氧化物薄膜之间，有一个由纳米厚度的TiO2模板层和MgO势垒层构成的复合缓冲层。本发明首次在低温下通过激光分子束外延的方式在GaN外延片上制备了外延质量良好的TiO2/MgO复合缓冲层，其中MgO层起到势垒层的作用，而TiO2作为模板层可以有效诱导ABO3薄膜外延生长。
- 透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法-200910236143.1
- 焦兴利;王海峰;刘亲壮;吴文彬 - 中国科学技术大学
- 2009-10-20 - 2010-04-21 - H01L29/15
- 本发明公开了一种透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法。该薄膜，包括作为单晶衬底基片的SrTiO3和位于单晶衬底基片之上的LaxSr1-xSnO3外延薄膜及位于所述LaxSr1-xSnO3外延薄膜之上的下述两外延薄膜中的任意一种：PbZr0.52Ti0.48O3外延薄膜和BiFeO3外延薄膜；LaxSr1-xSnO3外延薄膜中，0.03≤x≤0.07。本发明提供的p-n异质结薄膜，各层薄膜均具有很好的单晶外延性且均为钙钛矿结构，不仅具有很好的整流特性，而且整个器件在光波长400-2500nm(p层为PZT)、500-2500nm(p层为BFO)范围内具有高的透过率；p层材料(PZT，BFO)同时也是铁电材料，其中BFO在具有铁电性的同时还具有反铁磁性，在半导体器件的应用中会有更大的潜力。
- 一种ZnO基异质结及其制备方法-200910152502.5
- 叶志镇;潘新花 - 浙江大学
- 2009-09-10 - 2010-02-17 - H01L29/15
- 本发明公开的ZnO基异质结为n-ZnO/p-SnO，在衬底上自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层和p-SnO薄膜层，其中，n-ZnO薄膜层为Zn1-xAlxO或Zn1-xGaxO，0＜x＜0.05。其制备采用的是脉冲激光沉积法，首先制作Al或Ga掺杂的ZnO陶瓷靶以及纯SnO陶瓷靶；然后以Al或Ga掺杂的ZnO陶瓷靶为靶材在衬底上沉积n-ZnO薄膜层，再以SnO陶瓷靶为靶材在n-ZnO薄膜层上沉积p-SnO薄膜层。本发明方法简单，成本低，生长条件易控；制得的n-ZnO/p-SnO异质结可以用作绿光、蓝紫光等发光二极管。
- P沟道纳米晶体金刚石场效应晶体管-200780033564.3
- 亚当·H·卡恩 - 阿克汗技术有限公司
- 2007-08-13 - 2009-08-19 - H01L29/15
- 本发明公开了一种导电p沟道金刚石晶格场效应晶体管(DLFET)及其制作方法，该场效应晶体管由纳米晶体金刚石组成，并且在导电沟道中具有至少大约每立方厘米1020原子的硼。该纳米晶体金刚石的特征可以是具有小于1μm的平均粒度直径，具体来说具有10到20nm量级的粒度，以改善DLFET的性能。
- 半绝缘外延的碳化硅及相关的宽带隙晶体管-200780022925.4
- 迈克尔·S·马佐拉 - 半南实验室公司
- 2007-06-19 - 2009-07-01 - H01L29/15
- 一种半绝缘外延层的制造方法，该方法包括向衬底或形成在衬底上的第一外延层注入硼离子，以在该衬底的表面上或在该第一外延层的表面上形成注入硼的区域，以及在该衬底的注入硼的区域上或在该第一外延层的注入硼的区域上生长第二外延层，以形成半绝缘外延层。
- 具有绝缘体上半导体结构和超晶格的半导体器件及相关方法-200780016320.4
- 斯科特·A·柯瑞普斯;K·V·拉奥 - 梅尔斯科技公司
- 2007-05-03 - 2009-05-20 - H01L29/15
- 半导体器件，可以包括SOI衬底、与该衬底相邻的绝缘层、以及与跟该衬底相对的绝缘层的面相邻的半导体层。该器件还可以包括半导体层上的源极和漏极区、与半导体层相邻并在源极和漏极区区之间延伸以限定沟道的超晶格、以及在超晶格上的栅极。所述超晶格可以包括多个堆叠层组，每个层组包括限定基底半导体部分及其上的能带改性层的多个堆叠基底半导体单层。所述能带改性层可以包括限制在相邻基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。所述超晶格可以包含锗。
- 具有被约束的自旋电子掺杂剂的自旋电子器件及相关方法-200780016411.8
- 黄向阳;塞姆德·哈里洛夫;J·A·C·S·F·伊普敦;伊利佳·杜库夫斯基;迈尔柯·伊萨;罗伯特·J·梅尔斯 - 梅尔斯科技公司
- 2007-03-19 - 2009-05-20 - H01L29/15
- 一种自旋电子器件，可以包括至少一个超晶格和至少一个与所述至少一个超晶格耦合的电接触件，所述至少一个超晶格包含多个层组。每一个层组都可以包括限定具有晶格的基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层、约束在邻近基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层、以及自旋电子掺杂剂。该自旋电子掺杂剂可以被所述至少一个非半导体单层约束在基础半导体部分的晶格内。在一些实施例中，可以不需要超晶格的重复结构。
- 专利分类
