[发明专利]半导体存储器件

摘要

本发明提供半导体存储器件，该半导体存储器件包含第一及第二负载晶体管、第一及第二驱动晶体管、第一及第二转移晶体管，以及各自用作存储节点的第一及第二单元节点线。其中单元节点线以及与单元节点线对应的位线在从上方观看时彼此重叠的部分被形成于单元节点线与位线之间。

主权项

1.一种半导体存储器件，包含：第一负载晶体管及第二负载晶体管，各自具有与第一供电线路连接的源极；第一驱动晶体管及第二驱动晶体管，各自具有与第二供电线路连接的源极；第一转移晶体管，具有与所述第一驱动晶体管的漏极连接的一个端子以及与第一位线连接的另一个端子；第二转移晶体管，具有与所述第二驱动晶体管的漏极连接的一个端子以及与第二位线连接的另一个端子；第一单元节点线，使所述第一负载晶体管的漏极、所述第一驱动晶体管的所述漏极、所述第二负载晶体管的栅极、所述第二驱动晶体管的栅极以及所述第一转移晶体管的所述一个端子相互连接；以及第二单元节点线，使所述第二负载晶体管的漏极、所述第二驱动晶体管的所述漏极、所述第一负载晶体管的栅极、所述第一驱动晶体管的栅极以及所述第二转移晶体管的所述一个端子相互连接，其中所述第一单元节点线和所述第一位线形成于不同的布线层内，并且在所述第一单元节点线和所述第一位线由上方观看时彼此重叠的部分处具有第一宽部，所述第二单元节点线和所述第二位线形成于不同的布线层内，并且在所述第二单元节点线和所述第二位线由上方观看时彼此重叠的部分处具有第二宽部，所述第一宽部被形成为具有比所述第一位线的其他部分的线宽更大的线宽，并且所述第二宽部被形成为具有比所述第二位线的其他部分的线宽更大的线宽。