[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底中形成两个隔离结构以在衬底中限定位于两个隔离结构之间的鳍结构。形成桥接上述两个隔离结构并位于鳍结构上方的伪栅极和间隔件。利用伪栅极和间隔件作为掩膜来蚀刻上述两个隔离结构，以在上述两个隔离结构中形成在间隔件下面的多个斜坡。形成覆在上述多个斜坡上的栅极蚀刻停止层。去除伪栅极和伪栅极下面的两个隔离结构以产生由间隔件和栅极蚀刻停止层所界定的空腔。然后在空腔中形成栅极。本发明还公开一种半导体器件。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成两个隔离结构以在所述衬底中限定位于所述两个隔离结构之间的鳍结构；形成桥接所述两个隔离结构并位于所述鳍结构上方的伪栅极和间隔件；利用所述伪栅极和所述间隔件作为掩膜来蚀刻所述两个隔离结构，以在所述两个隔离结构中形成在所述间隔件下面的多个斜坡；形成覆在所述多个斜坡上的栅极蚀刻停止层；去除所述伪栅极和所述伪栅极下面的所述两个隔离结构，以产生由所述间隔件和所述栅极蚀刻停止层所界定的空腔；以及在所述空腔中形成栅极。