[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201410222766.4 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104183638B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 金村雅仁 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 朱胜,陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体装置和制造半导体装置的方法，该半导体装置包括基板上的由氮化物半导体形成的第一半导体层；在第一半导体层上的由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层上的绝缘层；形成在第二半导体层上的源极电极和漏极电极；以及形成在绝缘层上的栅极电极。绝缘层由包括氧化物的材料形成，并且通过从第二半导体层侧开始按照第一绝缘层随后是第二绝缘层的放置顺序层叠第一绝缘层和第二绝缘层来形成，并且包括在第一绝缘层的每单位体积中的‑OH基的量小于包括在第二绝缘层的每单位体积中的‑OH基的量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板上的、由氮化物半导体形成的第一半导体层；所述第一半导体层上的、由氮化物半导体形成的第二半导体层；绝缘层，所述绝缘层由包括氧化物的材料形成，并且通过从所述第二半导体层侧开始、按第一绝缘层随后是第二绝缘层的放置顺序层叠所述第一绝缘层和所述第二绝缘层而形成在所述第二半导体层上，其中，包括在所述第一绝缘层的每单位体积中的‑OH基的量小于包括在所述第二绝缘层的每单位体积中的‑OH基的量，并且包括在所述第一绝缘层的每单位体积中的‑OH基的量是C‑V特性中的电容的平均值处的滞后宽度为0.4V的量；形成在所述第二半导体层上的源极电极和漏极电极；以及形成在所述第二绝缘层上的栅极电极。
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