[发明专利]用于高压MOSFET的处理方法和结构在审
| 申请号： | 201410173265.1 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104143571A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 丁永平;张磊;常虹;金钟五;陈军 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张妍;张静洁 |
| 地址： | 美国加利福尼亚940*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于高压MOSFET的处理方法和结构，提供了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，该半导体功率器件包括多个沟槽，每个沟槽都有一个沟槽终点，终点侧壁垂直于沟槽轴向，从顶面开始垂直向下延伸到沟槽底面。该半导体功率器件还包括一个设置在沟槽底面下方的沟槽底部掺杂区，以及一个沿终点侧壁设置的侧壁掺杂区，其中侧壁掺杂区沿沟槽的垂直侧壁向下垂直延伸，以触及沟槽底部掺杂区，拾取沟槽底部掺杂区到半导体衬底的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高压 mosfet 处理 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，包括：多个形成在半导体衬底顶部的沟槽，每个沟槽都有一个沟槽终点，沟槽终点侧壁垂直于沟槽轴向，从顶面开始垂直向下延伸到沟槽底面；以及一个设置在沟槽底面下方的沟槽底部掺杂区，以及一个设置在沟槽终点侧壁的侧壁掺杂区，其中侧壁掺杂区沿沟槽的终点侧壁垂直向下延伸，以触及沟槽底部掺杂区，拾取沟槽底部掺杂区到半导体衬底的顶面。
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