[发明专利]用于制作半导体器件的方法有效
申请号: | 201410060022.7 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN104008980B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | G·贝尔;T·基尔格;D·迈尔;U·瓦赫特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的实施例涉及多个半导体芯片,每个半导体芯片包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。第一包封层被施加在半导体芯片的第二主面之上。电布线层施加在第一半导体芯片的第一主面之上。第二包封层施加在电布线层之上。减小第一包封层的厚度和第一半导体芯片的厚度。可以对结构进行单片化以获得多个半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 用于 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制作半导体器件的方法,所述方法包括:提供多个第一半导体芯片,所述多个第一半导体芯片中的每个第一半导体芯片包括第一主面以及与所述第一主面相对的第二主面;在所述第一半导体芯片的所述第二主面之上施加第一包封层;在所述第一半导体芯片的所述第一主面之上施加电布线层;在所述电布线层之上施加垂直金属条,所述垂直金属条电连接至所述电布线层;在所述电布线层之上施加第二包封层,使得所述第二包封层的上表面与所述垂直金属条的上表面齐平;减小所述第一包封层的厚度以及所述第一半导体芯片的厚度;在所述第二包封层之上施加电气器件,所述电气器件与所述垂直金属条电连接;以及单片化以获得多个半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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