[发明专利]一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构在审
| 申请号： | 201410057090.8 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733511A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 江西省昌大光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 330096 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，包括硅衬底，该硅衬底上从下至上依次生长有AlN成核层，渐变AlXGa1-XN缓冲层，周期性GaN/AlGaN超晶格插入层，氮化镓层。本发明提供的这种氮化镓外延结构能够有效的阻止Si原子从衬底层扩散到GaN层中，减少了氮化镓外延层中的位错等缺陷密度，提高了半绝缘GaN的晶体质量和表面形貌，优化了生长工艺，降低了生长成本，提高了产品的良率。此外，该半绝缘氮化镓基高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有更高的电子迁移速率、高功率密度等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 生长 氮化 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，其特征在于：从下到上依次包括硅衬底层，氮化铝成核层，渐变AlXGa1‑XN缓冲层，周期性GaN/AlGaN超晶格插入层，氮化镓层。
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