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[发明专利]SMT良率优化方法-CN202211701934.9在审
发明人：王吉军;刘鹏 -专利权人： 江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种SMT良率优化方法，包括：根据LED产品的电极焊盘，采用预设公差在封装基板表面对电极焊盘进行印刷；根据封装基板表面的电极焊盘，对钢网厚度和开口进行配置，钢网厚度和开口大小成反比关系；根据电极焊盘及钢网的配置，对锡膏进行选定。其综合对焊盘的精度控制、钢网的厚度及开口比例的控制、锡膏的颗粒直径选用多个方面，将SMT工艺的不良率降低为0.02％左右，大大提高了生产效率及良率，降低了成本。
smt 优化方法

[发明专利]LED产品色容差优化方法-CN202211598405.0在审
发明人：王吉军;刘鹏;朴一雨 -专利权人： 江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05B45/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED产品色容差优化方法，包括：S10点亮LED产品中特定色温的第一灯珠，并测量其色坐标；S20根据色坐标计算得到LED产品的测量色温及其与目标色温之间的色容差；S30判断色容差是否符合预设色容差标准；若不符合，跳转至步骤S40；若符合，跳转至步骤S60；S40根据色容差和色温的偏离方向确定待混入的第二灯珠的色温及数量；S50将第二灯珠封装入LED产品得到新的LED产品，并跳转至步骤S10；S60完成对LED产品的色容差优化。其根据LED产品的色容差和色温的偏离方向混入一定量的灯珠，对LED产品的色温进行调节，将LED产品的色容差控制在色容差标准内，达到客户需求。
led 产品色容差优化方法

[实用新型]Mini LED背光器件-CN202022657434.2有效
发明人：肖伟民;梁伏波 -专利权人：江西省晶能半导体有限公司;江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种Mini LED背光器件，其中，Mini LED背光器件中包括：分别与Mini LED芯片正负电极焊接的两个相互隔离的刚性导电基板结构，且两个刚性导电基板结构中与Mini LED芯片电极相对的下表面的间距大于芯片电极间的间距；围设于Mini LED芯片周围的高反射率白胶；及压制于Mini LED芯片上方的透镜。有效解决现有Mini LED背光器件中外露的铜因为氧化影响灯珠性能、切割过程中对刀片损耗较大等技术问题。
mini led 背光器件

[实用新型]新型发光装置及背光模组-CN202021398096.9有效
发明人：肖伟民 -专利权人：江西省晶能半导体有限公司;江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型发光装置及背光模组，其中，新型发光装置中包括：倒装LED芯片；于倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；于倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上的硅胶保护层表面设置的出光层，出光层中包含有光反射颗粒，用于将该出光侧表面出射的部分光反射回来；于倒装LED芯片电极侧表面设置的光反射层，用于将电极侧表面出射的光反射回来。其在倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上的硅胶保护层表面设置的出光层，将出光侧表面出射的部分光反射回来通过侧面出射，以此增加整个新型发光装置的出光角度(达到170°)，满足直下式背光场景中对新型发光装置出光角度的需求。
新型发光装置背光模组

[发明专利]发光装置及其制备方法、背光模组-CN202010683887.4在审
发明人：肖伟民 -专利权人：江西省晶能半导体有限公司;江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光装置及其制备方法、背光模组，其中，发光装置中包括：倒装LED芯片；于倒装LED芯片发光侧表面设置的荧光胶层；于倒装LED芯片中与电极侧表面相对的发光侧表面上的荧光胶层表面设置的出光层，出光层中包含有光反射颗粒，用于将该发光侧表面出射的部分光反射回来；及于倒装LED芯片电极侧表面设置的光反射层，用于将电极侧表面出射的光反射回来。其在倒装LED芯片中与电极侧表面相对的发光侧表面上的荧光胶层表面设置的出光层，将发光侧表面出射的部分光反射回来通过侧面出射，以此增加整个发光装置的出光角度(达到170°)，满足直下式背光场景中对发光装置出光角度的需求。
发光装置及其制备方法背光模组

[发明专利]Mini LED背光器件及其制备方法-CN202011285816.5在审
发明人：肖伟民;梁伏波 -专利权人：江西省晶能半导体有限公司;江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种Mini LED背光器件及其制备方法，其中，Mini LED背光器件中包括：分别与Mini LED芯片正负电极焊接的两个相互隔离的刚性导电基板结构，且两个刚性导电基板结构中与Mini LED芯片电极相对的下表面的间距大于芯片电极间的间距；围设于Mini LED芯片周围的高反射率白胶；及压制于Mini LED芯片上方的透镜。有效解决现有Mini LED背光器件中外露的铜因为氧化影响灯珠性能、切割过程中对刀片损耗较大等技术问题。
mini led 背光器件及其制备方法

[发明专利]新型发光装置及其制备方法、背光模组-CN202010684049.9在审
发明人：肖伟民 -专利权人：江西省晶能半导体有限公司;江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型发光装置及其制备方法、背光模组，其中，新型发光装置中包括：倒装LED芯片；于倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；于倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上的硅胶保护层表面设置的出光层，出光层中包含有光反射颗粒，用于将该出光侧表面出射的部分光反射回来；于倒装LED芯片电极侧表面设置的光反射层，用于将电极侧表面出射的光反射回来。其在倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上的硅胶保护层表面设置的出光层，将出光侧表面出射的部分光反射回来通过侧面出射，以此增加整个新型发光装置的出光角度(达到170°)，满足直下式背光场景中对新型发光装置出光角度的需求。
新型发光装置及其制备方法背光模组

[实用新型]发光装置及背光模组-CN202021397763.1有效
发明人：肖伟民 -专利权人：江西省晶能半导体有限公司;江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种发光装置及背光模组，其中，发光装置中包括：倒装LED芯片；于倒装LED芯片发光侧表面设置的荧光胶层；于倒装LED芯片中与电极侧表面相对的发光侧表面上的荧光胶层表面设置的出光层，出光层中包含有光反射颗粒，用于将该发光侧表面出射的部分光反射回来；及于倒装LED芯片电极侧表面设置的光反射层，用于将电极侧表面出射的光反射回来。其在倒装LED芯片中与电极侧表面相对的发光侧表面上的荧光胶层表面设置的出光层，将发光侧表面出射的部分光反射回来通过侧面出射，以此增加整个发光装置的出光角度(达到170°)，满足直下式背光场景中对发光装置出光角度的需求。
发光装置背光模组

[发明专利]一种GaN基电子器件-CN201610907624.0在审
发明人：陈振;周民兵;付羿 -专利权人： 江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基电子器件，包括一GaN基垂直结构芯片、一散热基板以及一封装体，其中，GaN基垂直结构芯片中包括外延结构，从下到上依次为导电衬底层、导电缓冲层、n型层、p型层及电子提供层；分设于外延结构中导电衬底层一侧和电子提供层一侧的源电极和漏电极；及与n型层连接的栅电极；GaN基垂直结构芯片安装于散热基板表面，封装体包裹GaN基垂直结构芯片和散热基板，且将GaN基垂直结构芯片中的源电极、漏电极及栅电极通过引线接出得到GaN基电子器件，从而提高电子器件的组装密度，同时制造成本低，性价比高，并且避免导线脱落器件引起的可靠性问题。
一种 gan 电子器件

[发明专利]一种GAN基电子器件及其制备方法-CN201610497035.X在审
发明人：陈振 -专利权人： 江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种GAN基电子器件及其制备方法，其中，该GAN基电子器件中包括衬底层，和依次设置在衬底上的缓冲层、模板层、沟道层、势垒层、栅漏源金属层、邦定层以及共晶陶瓷基板。其在现有芯片结构的基础上通过散热性好的金属直接与共晶陶瓷基板连接，由于器件有源区主要靠近上表面，芯片上表面和散热系数高的共晶陶瓷基板直接相连使得芯片工作时产生的热量可以被快速传递，使得器件的散热性更好，有效解决了器件在高温下工作导致工作效率下降、失效等问题，从而大大提高器件的工作效率、稳定性、可靠性以及寿命。
一种 gan 电子器件及其制备方法

[发明专利]一种GaN基电子器件及其制备方法-CN201610497031.1在审
发明人：陈振 -专利权人： 江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基电子器件及其制备方法，在该GaN基电子器件从下到上依次为衬底层、缓冲层、模板层、沟道层、势垒层、栅漏源金属层、邦定层以及用于封装电子器件的封装体。本发明提供的GaN基电子器件中芯片和封装体中的金属焊盘之间通过散热性好的金属(邦定层)直接连接，散热性更好；同时器件有源区主要靠近上表面，这样，芯片上表面和封装体直接相连使得芯片工作时产生的热量可以被快速传递，从而大大提高了电子器件的散热性能，同时大大提高了电子器件的工作效率、稳定性、可靠性和寿命。
一种 gan 电子器件及其制备方法

[发明专利]一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法-CN201610496530.9在审
发明人：陈振 -专利权人： 江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法，其中，在该半绝缘GaN薄膜中从下至上依次包括衬底、缓冲层、GaN模板层以及GaN薄膜层，其中，所述GaN薄膜层为掺杂有碳和铁的半绝缘GaN薄膜层。该半绝缘GaN薄膜品质高、纯度高，杂质的记忆效应小，绝缘性能好，能有效的减少器件的漏电流。
一种绝缘 gan 薄膜及其制备方法

[发明专利]半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构-CN201610497006.3在审
发明人：周名兵;陈振 -专利权人： 江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构，其中，该半绝缘GaN薄膜为碳和铁掺杂的半绝缘GaN薄膜层，其中，碳的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3；铁的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3。本发明操作方法简单、成本低、工作效率高，通过该方法制备的半绝缘GaN品质高、纯度高，对杂质的记忆效应小，绝缘性能好，并能有效的减少漏电流。
绝缘 gan 薄膜电子迁移率晶体管外延结构

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其外延结构、及外延结构制造方法-CN201510770431.0在审
发明人：陈振 -专利权人： 江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其外延结构、以及该外延结构制造方法。该外延结构包括衬底层，在该衬底层上从下至上依次生长成核层AlN；缓冲层AlGaN；模板层GaN；电子气限制层AlGaN；沟道层GaN；势垒层AlGaN。本发明通过在制造氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构时，利用AlGaN电子限制层限制二维电子气跳出量子阱的方法，能够提高材料的电子迁移率，降低GaN模板层中的缺陷对电子气的影响，进而降低了器件的电流坍塌，提高了器件的动态效应，且工艺简单易行。
电子迁移率晶体管及其外延结构制造方法

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法-CN201410384134.8在审
发明人：陈振;王敏;周名兵 -专利权人： 江西省昌大光电科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法。该外延结构包括衬底层，在该衬底层上从下至上依次生长有AlN成核层、AlGaN缓冲层、Al掺杂GaN模板层和AlGaN势垒层。本发明通过在制造氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构时，利用Al掺杂形成GaN模板层的方法，能够降低材料的位错密度，改善界面的平整度，提高材料的电子迁移率，减少异质外延AlGaN势垒层表面态密度，进而降低了器件的漏电流，提高了器件的击穿电压且工艺简单易行。
氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法

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