[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器有效
| 申请号： | 201380042912.9 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104541377B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | J-Y·D·叶;P·J·范德沃尔;W·M·哈菲兹;C-H·简;C·蔡;J·朴 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了用于非平面半导体器件架构的精密电阻器。在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平面 半导体器件 架构 精密 电阻器 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括：形成第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物；形成位于所述第一半导体鳍状物与所述第二半导体鳍状物之间的隔离区，其中所述隔离区具有的高度小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度；在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物以及所述隔离区上方形成多晶硅层；对所述多晶硅层图案化以在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方提供虚拟栅极结构和在所述隔离区上方但不在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方提供电阻器结构；掩蔽所述虚拟栅极结构并且使暴露的所述电阻器结构凹陷；对所述电阻器结构进行注入以提供所述电阻器结构所需的电阻特性；去除用于掩蔽所述虚拟栅极结构的掩模，并且在所述虚拟栅极结构和所述电阻器结构之上形成层间电介质层；将所述层间电介质层平面化，以暴露所述虚拟栅极结构的多晶硅并且使所述电阻器结构保持未暴露；去除所述虚拟栅极结构的多晶硅；以及分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成第一晶体管结构和第二晶体管结构，其中所述第一晶体管结构和所述第二晶体管结构分别包括作为金属栅极电极的第一金属部分和第二金属部分，分别至少部分地位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之上；其中所述电阻器结构的顶表面的高度小于所述第一金属部分的顶表面的高度，并且所述电阻器结构的顶表面的高度小于所述第二金属部分的顶表面的高度。
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