[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380025183.6 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104285301B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 三浦成久;日野史郎;古川彰彦;阿部雄次;中田修平;今泉昌之;香川泰宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | MOSFET的源极区域(12)包含与源极焊盘(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)的沟道区域邻接的源极延伸区域(12b)、以及配置在源极延伸区域(12b)与源极接触区域(12a)之间且杂质浓度不同于源极延伸区域(12b)以及源极接触区域(12a)的源极电阻控制区域(15a)。这三个区域被串联连接在源极焊盘(41)与阱区域(20)的沟道区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成在所述半导体基板上；第2导电类型的阱区域，选择性地形成在所述漂移层的表层部；第1导电类型的源极区域，形成在所述阱区域内的表层部；JFET区域，是与所述阱区域邻接的所述漂移层的部分；沟道区域，是被所述源极区域和所述JFET区域夹着的所述阱区域的部分；栅极电极，隔着栅极绝缘膜被配置在所述漂移层上，并且横跨所述源极区域、所述沟道区域以及所述JFET区域而延展；源极电极，与所述源极区域连接；以及漏极电极，形成在所述半导体基板的背面，所述源极区域具备：源极接触区域，与所述源极电极连接；源极延伸区域，与所述沟道区域邻接；以及源极电阻控制区域，配置在所述源极延伸区域与所述源极接触区域之间，该源极电阻控制区域的第1导电类型的杂质浓度低于所述源极延伸区域以及所述源极接触区域，所述源极电阻控制区域和所述源极延伸区域的边界与所述源极电阻控制区域和所述源极接触区域的边界之间的距离等于所述源极延伸区域和所述源极接触区域之间的距离，所述栅极电极只与所述源极区域中的所述源极延伸区域重叠。
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