[发明专利]高耐压半导体装置

摘要

纵型高耐压半导体装置具有第1导电型的半导体基板(1)；形成在半导体基板(1)上且浓度比半导体基板(1)低的第1导电型半导体层(2)；选择性地形成于第1导电型半导体层(2)的表面且高浓度的第2导电型半导体层(3)；在第1导电型半导体层(2)及第2导电型半导体层(3)上形成的第2导电型且低浓度的基底层(4)；和选择性地形成于该基底层(4)的表面层的第1导电型源极区域(7)。在元件周边部，删除第2导电型半导体层(3)的一部分之后，在浓度比半导体基板(1)低的第1导电型半导体层(2)的表面上形成多个低浓度的第2导电型层(11、12)，以作为最内周的该第2导电型层(11)不与第2导电型半导体层(3)及基底层(4)接触的方式进行了配置。由此，与半导体基板的结晶面方位无关地保持了足够的元件耐压特性，且能够以低导通电阻改善击穿耐量。

主权项

一种高耐压半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的半导体基板；第1导电型半导体层，设置于上述半导体基板的正面且杂质浓度比上述半导体基板低；第2导电型半导体层，选择性地设置于上述第1导电型半导体层的表面层；第2导电型的基底层，设置于上述第1导电型半导体层以及上述第2导电型半导体层上，且杂质浓度比上述第2导电型半导体层低；第1导电型源极区域，选择性地设置于上述基底层的内部；第1导电型阱区域，从表面开始沿着深度方向贯通上述基底层，并到达上述第1导电型半导体层；栅电极层，被上述第1导电型源极区域和上述第1导电型阱区域夹持，隔着栅极绝缘膜而设置于上述基底层的表面的露出部上的至少一部分中；源电极，与上述第1导电型源极区域和上述基底层的表面相接触；漏电极，设置于上述半导体基板的背面；凹部，沿着深度方向贯通元件周边部的上述基底层的一部分，并到达上述第1导电型半导体层；和第2导电型层，在删除了上述元件周边部的上述第2导电型半导体层的一部分的上述第1导电型半导体层的表面，形成多个该第2导电型层，且该第2导电型层的杂质浓度比上述第2导电型半导体层低，上述基底层到达通过上述删除形成的端部，上述第2导电型半导体层在未到达上述端部的位置处形成终端，上述第2导电型层中的最内周的第1的第2导电型层被配置成不与上述第2导电型半导体层以及上述基底层接触，第2的第2导电型层被配置在上述第1的第2导电型层的外侧，该第2的第2导电型层是上述第2导电型层中离子注入了比上述第1的第2导电型层低浓度的杂质的部分。