[发明专利]非易失性半导体存储器以及非易失性半导体存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201380010880.4 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN104137239B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 福本洋平;佐佐木隆兴 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 黄威,苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除了因过程充电而产生的弊端的非易失性半导体存储器。非易失性半导体存储器的特征在于，包括硅基板；第一氧化硅膜；第二氧化硅膜；第一氮化硅膜；第二氮化硅膜，所述第一氧化硅膜被层叠于所述硅基板上，所述第一氮化硅膜被层叠于所述第一氧化硅膜上，所述第二氧化硅膜被层叠于所述第一氮化硅膜上，所述第二氮化硅膜以第一部分与所述第一氮化硅膜相接并且第二部分与所述硅基板相接的方式而被层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器，其特征在于，包括：硅基板；第一氧化硅膜；第二氧化硅膜；第三氧化硅膜；第一氮化硅膜；第二氮化硅膜，所述第一氧化硅膜被层叠于所述硅基板上，且与所述第二氮化硅膜相接，所述第一氮化硅膜被层叠于所述第一氧化硅膜上，所述第二氧化硅膜被层叠于所述第一氮化硅膜上，所述第三氧化硅膜的厚度薄于所述第一氧化硅膜的厚度，所述第三氧化硅膜与所述第一氧化硅膜相接，所述第二氮化硅膜的第一部分与所述第一氮化硅膜相接，并且所述第二氮化硅膜的第二部分经由所述第三氧化硅膜而与所述硅基板相接。
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