[发明专利]功率金属氧化物半导体晶体管元件有效
| 申请号： | 201310577870.0 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103928505A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 汤铭;焦世平 | 申请（专利权）人： | 力芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开公开了一种功率金属氧化物半导体晶体管元件，其包含至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元，设置于一基板上。该至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元包含至少一晶胞、一边界、一栅极导体、以及一绝缘结构，该边界环绕该晶胞。该晶胞包含至少一源极柱及至少一漏极柱，经配置以提供一单元电流。该栅极导体环绕该源极柱及该漏极柱，并从该晶胞延伸至该边界。该绝缘结构电性隔离该栅极导体、该源极柱及该漏极柱。本发明的功率金属氧化物半导体晶体管元件可提供不同的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 | ||
【主权项】：
一种功率金属氧化物半导体晶体管元件，包含：至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元，设置于一基板上，包含：至少一晶胞及一边界，该晶胞包含至少一源极柱及至少一漏极柱，该边界环绕该晶胞；一栅极导体，环绕该源极柱及该漏极柱，并从该晶胞延伸至该边界；以及一绝缘结构，电性隔离该栅极导体、该源极柱及该漏极柱。
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