[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法、电源及高频放大器

摘要

本发明涉及一种半导体器件、一种用于制造半导体器件的方法、一种电源和一种高频放大器。本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极和第一氮化物半导体叠层，所述第一氮化物半导体叠层包括第一电子渡越层和第一电子供给层；第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极和第二氮化物半导体叠层，所述第二氮化物半导体叠层包括第二电子渡越层和第二电子供给层，所述第二漏电极为还用作所述第一源电极的公共电极，所述第二电子渡越层具有位于所述第二栅电极之下并包含p型掺杂剂的部分；以及p型掺杂剂扩散阻挡层。

主权项

一种半导体器件，包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极和第一氮化物半导体叠层，所述第一氮化物半导体叠层包括第一电子渡越层和第一电子供给层；第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极和第二氮化物半导体叠层，所述第二氮化物半导体叠层包括第二电子渡越层和第二电子供给层，所述第二漏电极为还用作所述第一源电极的公共电极，所述第二电子渡越层具有位于所述第二栅电极之下并包含p型掺杂剂的部分；以及p型掺杂剂扩散阻挡层，其中所述第二氮化物半导体叠层设置成高于所述第一氮化物半导体叠层，其中所述p型掺杂剂扩散阻挡层介于所述第一氮化物半导体叠层与所述第二氮化物半导体叠层之间，以及所述第一栅电极和所述第二源电极彼此电耦接以建立所述第一晶体管至所述第二晶体管的共源共栅连接。