[发明专利]芯片封装结构及形成方法有效
| 申请号： | 201310428902.0 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103489802A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王之奇;喻琼;王文斌;王蔚 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种芯片封装结构及形成方法，所述芯片封装结构的形成方法包括：沿着待封装晶圆的切割道方向对待封装晶圆进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽的宽度大于切割道的宽度；在所述切割道两侧的沟槽底部表面形成第二焊盘和连接结构；利用所述连接结构将芯片和封装电路板固定连接。由于用于固定连接的连接结构位于所述沟槽内，因此本发明的芯片封装结构的总厚度小于芯片的厚度、连接结构的高度和封装电路板的厚度之和，从而有利于产品小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干个芯片，每一个芯片包括芯片功能区和位于所述芯片功能区外侧的若干第一焊盘；沿着待封装晶圆的切割道方向对待封装晶圆进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽的宽度大于切割道的宽度；在所述切割道两侧的沟槽底部表面形成第二焊盘，在所述待封装晶圆表面、沟槽的侧壁和底部表面形成连接第一焊盘和第二焊盘的金属互连层；在所述第一焊盘和金属互连层表面形成钝化层，且所述钝化层暴露出第二焊盘表面；在所述第二焊盘表面形成连接结构；沿着切割道对待封装晶圆进行切割形成分立的芯片；利用所述连接结构将所述分立的芯片与封装电路板固定连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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