[发明专利]一种绝缘栅双极型半导体器件

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型半导体器件。本发明所述的绝缘栅双极型半导体器件，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合而成的IGBT，在第二种导电类型的MISFET的第二种导电类型的半导体材料作为漂移区上表面形成了第一种导电类型的体区，在体区中形成了由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构，在体区中还形成了第二种导电类型的半导体作为MISFET的源区；将源区用金属层连接起来形成IGBT发射极电极；将槽栅结构的半绝缘材料或导电材料引出作为IGBT的栅极。本发明的有益效果为，具有低导通压降、快关断的优点。本发明尤其适用于绝缘栅双极型半导体器件。

主权项

一种绝缘栅双极型半导体器件，包括依次层叠设置的集电极金属（12）、P型半导体材料（1）、N型半导体材料（2）、N型漂移区（3）、第一P型半导体体区（4）和发射极金属（11），所述第一P型半导体体区（4）中包括2个相互独立的发射区（5）；其特征在于，还包括第二P型半导体区（8）、N型半导体区（9）、氧化层（6）和多晶硅（7）；所述氧化层（6）覆盖在多晶硅（7）的外表面分别形成2个槽栅结构，所述2个槽栅结构设置在绝缘栅双极型半导体器件的两端，所述槽栅结构分别与发射区（5）的侧面和第一P型半导体体区（4）的侧面连接并嵌入N型漂移区（3）的上表面；所述第二P型半导体区（8）设置在第一P型半导体体区（4）中，所述N型半导体区（9）设置在第二P型半导体区（8）中，在N型半导体区（9）的上表面设置有电极（10），发射区（5）的上表面设置有发射极电极（11），发射极电极（11）沿第一P型半导体体区（4）的上表面延伸到第二P型半导体区（8）的上表面。