[发明专利]一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法有效
| 申请号： | 201310414732.0 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103456607A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 史敬元;金智;张大勇;麻芃;彭松昂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/312 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，该方法包括：将清洗后的衬底放入烘箱内80℃～200℃干燥处理5分钟～60分钟；配制BCB溶液，利用有机溶液对BCB溶液进行稀释，通过匀胶机将稀释后的BCB溶液旋涂在衬底表面；在N2或者惰性气体的保护下，将表面旋涂BCB溶液后的衬底加热至200℃～400℃，使苯并环丁烯单体发生交联反应生成苯并环丁烯聚合体，从而在衬底表面形成BCB有机膜层。本发明解决了由于原有衬底表面极性散射、粗糙起伏、杂质吸附等原因而造成的石墨烯器件性能退化等问题，BCB有机膜层既钝化、修饰了原有衬底表面，同时自身不会引起石墨烯的载流子迁移率退化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 工艺 衬底 进行 预处理 方法 | ||
【主权项】：
一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，其特征在于，该方法是以苯并环丁烯(BCB)有机膜层来钝化、修饰衬底表面，实现对衬底表面的预处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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