[发明专利]具有沟槽的半导体衬底的光刻方法在审
| 申请号： | 201310365546.2 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425216A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 朱岩岩;王刚宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，包括：提供具有沟槽的半导体衬底；在所述沟槽中填充保护材料；在所述半导体衬底及保护材料上涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行曝光与显影工艺形成图形化的光刻胶；刻蚀掉所述沟槽中未被图形化的光刻胶覆盖的保护材料。本发明通过在涂覆光刻胶之前先采用保护材料填充沟槽，使得半导体衬底表面平整，避免了因沟槽与半导体衬底表面的高度差引起的沟槽中的光刻胶无法完全曝光的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 半导体 衬底 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，包括：提供具有沟槽的半导体衬底；在所述沟槽中填充保护材料；在所述半导体衬底及保护材料上涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行曝光与显影，形成图形化的光刻胶；刻蚀掉所述沟槽中未被图形化的光刻胶覆盖的保护材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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