[发明专利]具有沟槽的半导体衬底的光刻方法在审
| 申请号： | 201310365546.2 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425216A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 朱岩岩;王刚宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 半导体 衬底 光刻 方法 | ||
1.一种具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，包括：
提供具有沟槽的半导体衬底；
在所述沟槽中填充保护材料；
在所述半导体衬底及保护材料上涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光与显影，形成图形化的光刻胶；
刻蚀掉所述沟槽中未被图形化的光刻胶覆盖的保护材料。
2.如权利要求1所述的具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，所述保护材料为底部抗反射薄膜。
3.如权利要求2所述的具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，所述底部抗反射薄膜采用旋涂的方式填充所述沟槽。
4.如权利要求3所述的具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除沟槽中未被图形化的光刻胶覆盖的保护材料。
5.如权利要求4所述的具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，采用CF4/O2、HBr、Cl2或CHF3的等离子进行刻蚀。
6.如权利要求1所述的具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，采用旋涂方式涂覆所述光刻胶。
7.如权利要求1～6中任意一项所述的具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，涂覆光刻胶之后还包括对所述光刻胶进行前烘。
8.如权利要求1～6中任意一项所述的具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，对所述光刻胶显影之后还包括对所述光刻胶进行后烘。
9.如权利要求1～6中任意一项所述的具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，所述保护材料填满所述沟槽。
10.如权利要求1～6中任意一项所述的具有沟槽的半导体衬底的光刻方法，其特征在于，所述半导体衬底是硅衬底、锗硅衬底或绝缘体上硅衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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