[发明专利]功率整流器件和其制造方法及其相关半导体产品有效
| 申请号： | 201310263921.2 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103515452B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 安德烈·康斯坦丁诺夫 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/34;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及功率整流器件和其制造方法及其相关半导体产品。该功率整流器件包括含有碳化硅的漂移层（110），设置在漂移层上的肖特基电极（120），肖特基电极和漂移层的表面提供肖特基接触（130），其中漂移层具有平面化的表面，使得漂移层表面的任何坑（140）的深度近似小于Dmax=Eb/Fa，其中Eb是金属‑半导体势垒高度，以及Fa是雪崩击穿场。本发明是有利的，因为其提供了具有改善平滑度的（漂移层的）表面的功率整流器件，以及制造具有降低泄漏电流的功率整流器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 整流 器件 制造 方法 及其 相关 半导体 产品 | ||
【主权项】：
1.一种功率整流器件，包括：包括碳化硅的漂移层；和设置在所述漂移层上的肖特基电极，所述肖特基电极和所述漂移层的表面提供肖特基接触，所述漂移层具有平面化的表面，使得所述漂移层的所述平面化的表面的多个坑中的每一个的深度小于Dmax＝Eb/Fa，其中Eb是金属‑半导体势垒高度，以及Fa是雪崩击穿场。
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