[发明专利]功率整流器件和其制造方法及其相关半导体产品

权利要求书

1.一种功率整流器件，包括：

包括碳化硅的漂移层；和

设置在所述漂移层上的肖特基电极，所述肖特基电极和所述漂移层的表面提供肖特基接触，

所述漂移层具有平面化的表面，使得所述漂移层的所述平面化的表面的多个坑中的每一个的深度小于D_max＝E_b/F_a，其中E_b是金属-半导体势垒高度，以及F_a是雪崩击穿场。

2.根据权利要求1所述的功率整流器件，其中所述漂移层的所述平面化的表面的直径或横向延伸小于2微米的任何坑具有小于5纳米的深度。

3.根据权利要求1所述的功率整流器件，进一步包括在所述功率整流器件的外围的结终端区。

4.根据权利要求1所述的功率整流器件，其中所述肖特基电极包含金属。

5.根据权利要求1所述的功率整流器件，其中所述肖特基电极包含钛、钨或钼中的一种。

6.根据权利要求1所述的功率整流器件，其中所述漂移层是通过在具有离轴方向为2到8度的4H多型基板上外延生长的层。

7.根据权利要求3所述的功率整流器件，其中所述结终端区形成为围绕所述功率整流器件的连续带。

8.根据权利要求1所述的功率整流器件，进一步包括在所述功率整流器件的外围的离子注入p-型耗尽阻塞区。

9.根据权利要求8所述的功率整流器件，其中所述离子注入p-型耗尽阻塞区形成为围绕所述功率整流器件的连续带。

10.根据权利要求8所述的功率整流器件，其中p-型欧姆区配置为接触所述离子注入p-型耗尽阻塞区。

11.根据权利要求10所述的功率整流器件，其中所述肖特基电极位于所述p-型欧姆区内。

12.根据权利要求1所述的功率整流器件，其中所述肖特基电极的外围与所述漂移层完全重叠。

13.一种半导体产品，包括：

n-型碳化硅基板；以及

设置在所述n-型碳化硅基板顶部的轻度掺杂外延n-型漂移层，轻度掺杂外延n-型漂移层的表面是局部平面化的，使得直径或横向延伸小于2微米的多个坑中的每一个具有小于5纳米的深度。

14.根据权利要求13所述的半导体产品，其中所述n-型碳化硅基板是4H-碳化硅基板。

15.根据权利要求13所述的半导体产品，进一步包括设置在轻度掺杂外延n-型漂移层上的肖特基电极。

16.根据权利要求15所述的半导体产品，其中所述肖特基电极和所述轻度掺杂外延n-型漂移层一起形成二极管的部分。