[发明专利]具桥接结构的半导体封装构造及其制造方法有效
| 申请号： | 201310166686.7 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103258806A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 叶昶麟;洪志斌;叶勇谊;高仁杰;胡智裕;古顺延 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具桥接结构的半导体封装构造及其制造方法。所述半导体封装构造包含：一基板；一第一半导体连接件，电性连接所述基板；至少一第二半导体连接件，电性连接所述基板且间隔设于所述第一半导体连接件旁；一第一芯片，桥接所述第一半导体连接件与第二半导体连接件，使得所述第一半导体连接件通过所述第一芯片的一有源电路层电性连接所述第二半导体连接件。所述半导体封装结构使用相邻的两个半导体连接件取代单一中介层可强化结构，避免翘曲，还可提升电性特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具桥接 结构 半导体 封装 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具桥接结构的半导体封装构造，其特征在于：其包含：一基板；一第一半导体连接件具有多个第一穿硅导通孔，电性连接所述基板；至少一第二半导体连接件具有多个第二穿硅导通孔，电性连接所述基板且间隔设于所述第一半导体连接件旁；以及一第一芯片，桥接所述第一半导体连接件与第二半导体连接件，使得所述第一半导体连接件通过所述第一芯片的一有源电路层电性连接所述第二半导体连接件。
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