[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310065893.3 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103295916B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 中条卓也;田村政树;高桥靖司;大川启一;梶原良一;元脇成久;宝藏寺裕之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：金属构件，具有含Zn层；半导体元件，结合到所述金属构件的表面；以及密封树脂，覆盖所述含Zn层、所述半导体元件和所述金属构件，其中所述含Zn层具有多个不规则物，并且所述多个不规则物中的至少一个具有悬突结构，以及其中所述悬突结构包括位于所述多个不规则物中的至少一个的上部的凸起部分和位于所述多个不规则物中的至少一个的下部的凹陷部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
