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[发明专利]功率半导体装置-CN201880086160.9有效
发明人：露野円丈;宝藏寺裕之 -专利权人：日立安斯泰莫株式会社
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明的课题在于提高功率半导体装置的可靠性。本发明为一种功率半导体装置，具备：半导体元件；第1端子及第2端子，所述第1端子及第2端子向所述半导体元件传输电流；第1基座及第2基座，所述第1基座及第2基座夹持所述第1端子的一部分、所述第2端子的一部分以及所述半导体元件且互相相对地配置；以及密封材料，其被设置于所述第1基座与所述第2基座之间的空间内，所述第2端子具有中间部，所述中间部以沿着从所述半导体元件离开的方向而使与所述第1端子的距离变大的方式形成，所述中间部设置于所述第1基座与所述第2基座之间并且设置于所述密封材料内。
功率半导体装置

[发明专利]功率半导体装置及使用该装置的电力转换装置-CN201880039030.X有效
发明人：露野円丈;岛津博美;难波明博;松下晃;宝藏寺裕之;西原淳夫;石井利昭;平尾高志 -专利权人：日立安斯泰莫株式会社
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明的目的在于确保功率半导体装置的可靠性并且提高生产率。本发明的特征在于，具备：电路体，其包含半导体元件和导体部而构成；第1绝缘构件和第2绝缘构件，它们隔着所述电路体相互对置；第1基座和第2基座，它们隔着所述电路体、所述第1绝缘构件和所述第2绝缘构件相互对置；壳体，其形成有由所述第1基座覆盖的第1开口部以及由所述第2基座覆盖的第2开口部；以及距离限制部，其设置在所述第1基座和所述第2基座之间的空间内，并且通过与该双方的基座接触来限制该第1基座和该第2基座之间的距离。
功率半导体装置使用电力转换

[发明专利]功率模块及车辆用电力转换装置-CN201510969150.8有效
发明人：中津欣也;宝藏寺裕之;德山健;高木佑辅;佐藤俊也;小山拓;二宫隆典 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： B60L50/50 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块以及使用该功率模块的电力转换装置。所述功率模块具备：两张基体板，所述两张基体板的各自的主面对置；半导体电路部，所述半导体电路部配置在所述两张基体板之间；连结部件，所述连结部件与所述两张基体板连接，并且形成用于收容所述半导体电路部的收容区域；以及绝缘性部件，所述绝缘性部件夹装在所述基体板和所述半导体电路部之间，并且用于确保该基体板和该半导体电路部的电绝缘。所述连结部件的刚性或者厚度小于所述基体板的刚性或者厚度。
功率模块车辆用电转换装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710511943.4在审
发明人：中条卓也;田村政树;高桥靖司;大川启一;梶原良一;元脇成久;宝藏寺裕之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310065893.3有效
发明人：中条卓也;田村政树;高桥靖司;大川启一;梶原良一;元脇成久;宝藏寺裕之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率半导体组件-CN201510051520.X在审
发明人：元胁成久;宝藏寺裕之;守田俊章;绀野哲丰 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供功率半导体组件，其能够对晶体管元件的高发热部分进行高效冷却，布线接合部的连接可靠性优秀，其特征在于包括：散热板(1)；通过接合材料与散热板(1)连接的在绝缘基板(2)的正面形成有布线的电路基板；晶体管元件(5)，具有形成在一方的面的主电极(6)和控制电极(7)、和形成在另一方的面的背面电极，背面电极通过接合材料与电路基板连接；通过接合材料与主电极(6)接合的第一导电部件(10)；和使第一导电部件(10)和控制电极(7)与其他元件或电路基板电连接的导线或带状的连接端子(11、12)，控制电极(7)配置在主电极(6)的角部，第一导电部件(10)是将控制电极(7)之上的部分切掉的形状。
功率半导体组件

[发明专利]电力转换装置、功率模块及车辆用电力转换装置-CN201310240571.8有效
发明人：中津欣也;宝藏寺裕之;德山健;高木佑辅;佐藤俊也;小山拓;二宫隆典 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块以及使用该功率模块的电力转换装置。所述功率模块具备：两张基体板，所述两张基体板的各自的主面对置；半导体电路部，所述半导体电路部配置在所述两张基体板之间；连结部件，所述连结部件与所述两张基体板连接，并且形成用于收容所述半导体电路部的收容区域；以及绝缘性部件，所述绝缘性部件夹装在所述基体板和所述半导体电路部之间，并且用于确保该基体板和该半导体电路部的电绝缘。所述连结部件的刚性或者厚度小于所述基体板的刚性或者厚度。
电力转换装置功率模块车辆用电

[发明专利]功率半导体模块及其制造方法-CN201180041186.X有效
发明人：井出英一;平光真二;宝藏寺裕之;露野圆丈;中津欣也;德山健;松下晃;高木佑辅 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体模块，具备：在一个主面上形成有多个控制电极的功率半导体元件；与功率半导体元件的一个主面介由第一焊锡材料接合的第一导体板；和与功率半导体元件的另一个主面介由第二焊锡材料接合的第二导体板。在第一导体板形成有从该第一导体板的基部突出且在上表面具有第一突出面的第一突出部。在第一导体板的第一突出面形成有具有与功率半导体元件的一个主面相对的第二突出面的第二突出部。第一焊锡材料设置在功率半导体元件和第一导体板之间，且避开多个控制电极。在从功率半导体元件的一个主面的垂直方向投影时，第二突出部以第二突出面的规定边的投影部与形成于第一导体板的基部和第一突出部间的台阶部的投影部重叠的方式形成。功率半导体元件的多个控制电极沿着第二突出面的规定边形成。
功率半导体模块及其制造方法

[发明专利]功率半导体组件、功率模块、功率半导体组件的制造方法和功率模块的制造方法-CN201180036516.6有效
发明人：露野圆丈;宝藏寺裕之;石井利昭;诹访时人;中津欣也;德山健;楠川顺平 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：电极引线框（7、8）的散热面（7b、8b）隔着绝缘片（10）与散热部件（301）热接触，使功率半导体元件（5）的热散发到散热部件（厚壁部301）。散热面（7b、8b）的露出区域和与该露出区域邻接的模塑部件（密封部件13）的表面（13b），形成任一方突出的凹凸台阶。形成于该凹凸台阶的凸侧的面与凹侧的面之间的台阶侧面，由与凸侧的面之间的角度和与凹侧的面之间的角度分别为钝角的倾斜面（7a、13a）构成。
功率半导体组件模块制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200980132004.2无效
发明人： 宝藏寺裕之;守田俊章;保田雄亮;依田智子;白井优之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时实现电磁波屏蔽性和搭载电子部件时的加热工序中的可靠性的半导体器件。在半导体器件中，具有搭载在电路基板1主面上的高频率安装部件5、6，将安装部件5、6与电路基板1主面的布线图案4进行电连接，形成绝缘性树脂的封固体7使其密封安装部件5、6，将金属粒子涂布在封固体7的表面，将涂布后的金属粒子烧结，由此形成电磁波屏蔽层2，将电磁波屏蔽层2与电路基板1的接地图案3进行电连接。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率模块、电力转换装置以及电动车辆-CN200980105222.7有效
发明人：中津欣也;宝藏寺裕之;德山健;高木佑辅;佐藤俊也;小山拓;二宫隆典 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块以及使用该功率模块的电力转换装置。所述功率模块具备：两张基体板，所述两张基体板的各自的主面对置；半导体电路部，所述半导体电路部配置在所述两张基体板之间；连结部件，所述连结部件与所述两张基体板连接，并且形成用于收容所述半导体电路部的收容区域；以及绝缘性部件，所述绝缘性部件夹装在所述基体板和所述半导体电路部之间，并且用于确保该基体板和该半导体电路部的电绝缘。所述连结部件的刚性或者厚度小于所述基体板的刚性或者厚度。
功率模块电力转换装置以及电动车辆

[发明专利]半导体体电阻元件-CN200710003972.6无效
发明人：村上进;野中武雄;内藤伸二;中村稔;宝藏寺裕之 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：提供可以控制性良好且很容易地得到所需的电阻值，并可以改善电阻值的温度依存性以及电压和电流的线性的技术。在具有一个主面(第1主面)、并作为体电阻起作用的半导体电阻层(n型半导体区域(2))的第1主面上，形成导电型与半导体电阻层相反的护环层(p⁺型半导体区域(3))，贯通护环层地形成导电型与半导体电阻层相同、具有高于半导体电阻层以及护环层的高杂质浓度的接触层(n⁺⁺型半导体区域(4))，在接触层的上部以及半导体电阻层的下部分别邻接与电解欧姆接触、导电型与半导体电阻层相同、具有大于等于接触层的高杂质浓度的半导体区域(n⁺⁺型半导体区域(5)以及n⁺⁺型半导体区域(1))。
半导体电阻元件

[发明专利]半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置-CN200610110998.6有效
发明人：东克典;守田俊章;宝藏寺裕之;铃木和弘;佐藤俊也;大塚修 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置，该半导体装置具有：第1半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第1功率半导体元件；第2半导体元件群，其在第2电位与第3电位之间至少电连接有一个第2功率半导体元件；和第3半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第3功率半导体元件，其中第2半导体元件群配置在第1半导体元件群与第3半导体元件群之间。由此，提供能够兼备低电感与发热平衡的低损耗的半导体装置、及使用该半导体装置的电力变换装置。
半导体装置使用电力变换

[发明专利]半导体装置-CN200480040907.5无效
发明人：斋藤淳;樋口胜弘;大塚修;西台秀和;宝藏寺裕之;守田俊章;高桥可昌;佐藤俊也 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2004-01-26 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够延长装载部件的寿命的半导体装置。具有通过加热部(1)与散热器(2)控制冷却用制冷剂的温度而构成的冷却系统。半导体装置(100)与该冷却系统连接而被冷却。此处，由冷却系统的加热部(1)与散热器(2)控制的温度的变化范围(ΔT1)，比半导体装置(100)的工作状况的变化带给冷却介质的温度变化(ΔT2)大(ΔT1＞ΔT2)。
半导体装置

[发明专利]逆变器装置以及使用它的车辆驱动装置-CN200510087646.9有效
发明人： 宝藏寺裕之;守田俊章;重田哲;诹访时人 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：一种逆变器装置，具有导通以及遮断电流的多个臂，各臂具有开关元件(SW)和用于连接开关元件的第一以及第二配线层(182、186)。将各臂的第一以及第二配线层分别形成在绝缘基板(180、180A)之上，在所述第一配线层上固定所述开关元件的一方的面，用板状导体实现所述第二配线层和所述开关元件的另一方的面的电连接，所述板状导体具有第一和第二连接部，所述板状导体的第一连接部被固定在所述开关元件的另一方的面上，所述板状导体的第二连接部被固定在所述第二配线层上。由此可以提高逆变器装置或者车辆驱动装置的组装性。
逆变器装置以及使用车辆驱动

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