[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310018246.7 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103811350A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郑永均;洪坰国;李钟锡;千大焕 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n-型外延层、p型外延层和第一n+区域；以及穿过所述第一n+区域和所述p型外延层形成沟道；其中，所述沟道的形成包括：在所述第一n+区域上形成感光层图形；通过应用所述感光层图形作为掩模来蚀刻所述第一n+区域和所述p型外延层；在移除所述感光层图形之后，通过在所述第一n+区域上应用非晶碳来形成缓冲层；通过蚀刻所述缓冲层以形成缓冲层图形；应用所述缓冲层图形作为掩模来蚀刻；各向同性地蚀刻以形成所述沟道的第二部分；以及移除所述缓冲层图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n‑型外延层、p型外延层和第一n+区域；以及穿过所述第一n+区域和所述p型外延层形成沟道，并且所述沟道包括具有线性剖面的第一部分和椭圆形的第二部分；其中，所述沟道的形成包括：在所述第一n+区域上形成感光层图形；通过应用所述感光层图形作为掩模来蚀刻所述第一n+区域和所述p型外延层以形成第一沟道；在移除所述感光层图形之后，通过在所述第一n+区域和所述第一沟道上应用非晶碳来形成缓冲层；通过蚀刻所述缓冲层以暴露所述第一沟道的底部来形成缓冲层图形；通过应用所述缓冲层图形作为掩模来蚀刻所述第一沟道的底部以形成第二沟道；各向同性地蚀刻所述第二沟道以形成所述沟道的第二部分；以及移除所述缓冲层图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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