[发明专利]半导体衬底以及形成方法

摘要

一种形成半导体衬底的方法，其包括在生长过程中在生长衬底上形成13‑15族材料的基层，在生长过程中形成覆盖在基层上的具有遮罩区域和缺口区域的掩模，以及在生长过程中有选择地移除在掩模下面的基层的一部分。

主权项

一种形成半导体衬底的方法，所述方法包括：在生长过程中在生长温度下在生长衬底上形成13‑15族材料的基层，其中：所述生长衬底包括缓冲层，所述缓冲层在基层下面而覆盖基衬底；淀积包括金属有机物化学气相淀积(MOCVD)；所述缓冲层为刻蚀停止层；在生长过程中形成包括遮罩区域和缺口区域的掩模，所述掩模覆盖所述基层，其中：所述掩模包括含硅的材料；所述遮罩区域具有相对于彼此的随机取向和随机尺寸；所述缺口区域中的大部分具有不大于0.8微米的宽度；以及在生长过程中，在形成了包括遮罩区域和缺口区域的掩模之后，有选择地移除在所述掩模下面的所述基层的一部分，包括有选择地刻蚀在所述掩模下面的所述基层的一部分；以及，形成覆盖所述掩模和基层的外延层，其中所述外延层包括13‑15族材料；并且该方法进一步包括在所述基层、掩模和外延层中的至少一个的形成时从所述生长衬底分离所述基层、掩模和外延层，其中所述分离包括热分解在所述生长衬底和所述基层之间的缓冲层的至少一部分。