[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201220587134.4 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN202957248U | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;李小峰;王平;张佼佼;蒋敏 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有至少一第一埋层窗口和至少一第二埋层窗口；阻挡层，位于所述第一埋层窗口上；保护层，位于所述阻挡层旁的所述衬底上；中间层，位于所述第一外延层上，所述保护层的上表面和所述阻挡层的上表面的相接处具有一第一台阶差，所述第一台阶差形成一对比窗口；外延层，位于所述阻挡层和所述保护层以外的所述衬底上，所述外延层具有所述第二埋层窗口经外延生长后的外延窗口。采用本实用新型的半导体器件测量外延漂移量和外延畸变量，测试精度高并且步骤简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有至少一第一埋层窗口和至少一第二埋层窗口；阻挡层，位于所述第一埋层窗口上；保护层，位于所述阻挡层旁的所述衬底上；中间层，位于所述第一外延层上，所述保护层的上表面和所述阻挡层的上表面的相接处具有一第一台阶差，所述第一台阶差形成一对比窗口；外延层，位于所述阻挡层和所述保护层以外的所述衬底上，所述外延层具有所述第二埋层窗口经外延生长后的外延窗口。
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