[实用新型]一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件有效
| 申请号： | 201220352270.5 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN202772139U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰;余庭;赵一兵;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 昆山华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层，所述漏极包括漂移区，其特征在于：所述漂移区上设置有至少一个场板，所述场板和所述漂移区之间设置有绝缘层，所述场板和所述源极之间绝缘，所述场板的电压可以调节。本实用新型通过调节场板上的电压，从而实现击穿电压能够根据所需要工作的频率进行动态的调整。当器件工作在较低的频率，需要提供较大的输出功率的时候，可以提高器件的击穿电压。当器件工作在较高的频率，需要提高截止频率来保证足够的增益的时候，可以降低器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一个 击穿 电压 可以 调整 rf ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一个击穿电压可以调整RF‑LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层，所述漏极包括漂移区，其特征在于：所述漂移区上设置有至少一个场板，所述场板和所述漂移区之间设置有绝缘层，所述场板和所述源极之间绝缘，所述场板的电压可以调节。
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