[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于终端区的多个悬浮的沟槽栅，其沟槽深度大于或者等于位于有源区的体区的结深。该沟槽式金属氧化物半导体场效应管还包括至少一个沟道阻止沟槽栅，其围绕在所述的悬浮的沟槽栅的外围并连接到至少一个延伸入切割道的切割沟槽栅，以防止在漏区和源区间形成漏电通道。

主权项

一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于有源区的多个晶体管单元和位于终端区的多个悬浮的沟槽栅，还包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，其位于所述衬底之上，且所述外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；第一导电类型的源区，位于有源区并连接至一个源极金属焊盘，所述源区靠近所述外延层的上表面，并且所述源区的多数载流子浓度大于所述外延层；第二导电类型的第一体区，位于有源区中的所述外延层中，且位于所述源区下方；第二导电类型的第二体区，位于所述外延层中，且位于包括所述终端区在内的所述有源区的外围，所述第二体区上方不存在所述源区；多个第一沟槽栅，位于所述有源区，被所述源区和所述第一体区包围；至少一个第二沟槽栅，用于栅极连接，其被所述第二体区包围且延伸至所述第一沟槽栅，其中所述至少一个第二沟槽栅连接至一个栅极金属焊盘；所述多个悬浮的沟槽栅平行形成于所述终端区中，并且围绕所述有源区的外围，所述多个悬浮的沟槽栅各自具有悬浮的电压并被所述第二体区包围，并且所述多个悬浮的沟槽栅的沟槽深度大于或等于所述第二体区的结深；至少一个沟道阻止沟槽栅，其位于所述终端区并围绕所述多个悬浮的沟槽栅的外围，每个所述的沟道阻止沟槽栅连接到至少一个切割沟槽栅，其中每个所述的切割沟槽栅延伸过切割道。