[发明专利]一种再布线高密度QFN封装器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210549528.5 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103066044A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/12;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种再布线高密度QFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度QFN封装器件的芯片载荷和引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用蚀刻方法制作再布线层，并形成独立的芯片载体和引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度QFN具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 布线 高密度 qfn 封装 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种再布线高密度QFN封装器件，其特征在于，包括：芯片载体配置于封装器件的中央部位；多个引脚配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列；绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间，以及引脚与引脚之间；IC芯片通过粘贴材料配置于芯片载体上；第一金属材料层围绕IC芯片排列；引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接；IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面；塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层、再布线层和芯片载体，仅仅暴露出配置于芯片载体和引脚下表面的第二金属材料层。
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