[发明专利]一种有源芯片高密度TSV结构及制作方法有效
| 申请号： | 202010744766.6 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111834313B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张春艳;曹立强;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有源芯片高密度TSV结构，包括：硅衬底；第一介质层，所述第一介质层设置在所述硅衬底的上表面；高密度硅通孔开口槽，所述高密度硅通孔开口槽贯穿所述第一介质层，露出所述第一介质层；第二介质层，所述第二介质层设置在所述高密度硅通孔开口槽中；高密度硅通孔，所述高密度硅通孔由所述高密度硅通孔开口槽的槽底向所述硅衬底内部延伸；以及高密度硅通孔互连结构，所述高密度硅通孔互连结构电连接至所述高密度硅通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 芯片 高密度 tsv 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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