[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210548623.3 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103165785A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供用于制造半导体器件的方法。具体而言，提供一种用于制造包括p电极和由氮化物半导体形成的p型接触层的半导体器件的方法，该方法意在改善p型接触层与p电极之间的欧姆接触。在该制造方法中，在蓝宝石衬底上依次形成低温缓冲层、n型接触层、n型ESD层、n型SL层、MQW层以及p型覆层。随后，在p型覆层上依次形成第一p型接触层和第二p型接触层。通过使用氮和氢的气体混合物作为载气来形成第一p型接触层。通过仅使用氢作为载气来形成第二p型接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括p电极以及其上形成有所述p电极并且由第III族氮化物半导体形成的p型接触层，所述方法包括形成所述p型接触层的步骤，所述步骤包括：通过使用氮和氢的气体混合物作为载气来形成第一p型接触层的第一子步骤；以及通过使用氢作为载气来形成第二p型接触层的第二子步骤。
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