[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。公开了一种半导体器件，其被提供有在多层互连层中的有源元件并且减小了芯片面积。在第一互连层上方提供第二互连层。在第一互连层中提供第一层间绝缘层。半导体层提供在第二互连层中并且与第一层间绝缘层接触。在半导体层上方提供栅极绝缘膜。在栅极绝缘膜上方提供栅电极。至少两个第一通路提供在第一互连层中并且通过它们的上端与半导体层接触。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；第一互连层，所述第一互连层提供在上述衬底上方；第二互连层，所述第二互连层提供在所述第一互连层上方；第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层提供在所述第一互连层中；半导体层，所述半导体层提供在所述第二互连层中并且与所述第一层间绝缘层接触；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜提供在所述半导体层上方；栅电极，所述栅电极提供在所述栅极绝缘膜上方；以及至少两个第一通路，所述至少两个第一通路提供在所述第一互连层中并且通过其上端与所述半导体层接触，第二互连，所述第二互连提供在所述第二互连层中并且提供在平面图中与所述栅电极的位置不同的位置处，其中，所述栅电极由如所述第二互连的材料形成。