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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201310041425.2有效
发明人：砂村润;井上尚也;金子贵昭 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提高被设置在多层布线层中的半导体元件的性能。半导体器件包括第一布线，该第一布线被设置在第一布线层中；第二布线，该第二布线被设置在被堆叠在第一布线层上的第二布线层中；栅电极，该栅电极在第一布线层和第二布线层的堆叠方向中被布置在第一布线和第二布线之间，并且没有与第一布线和第二布线耦合；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上；以及半导体层，该半导体层经由栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上，并且与第一布线和第二布线耦合。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法-CN201210544128.5有效
发明人： 井上尚也;金子贵昭;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。公开了一种半导体器件，其被提供有在多层互连层中的有源元件并且减小了芯片面积。在第一互连层上方提供第二互连层。在第一互连层中提供第一层间绝缘层。半导体层提供在第二互连层中并且与第一层间绝缘层接触。在半导体层上方提供栅极绝缘膜。在栅极绝缘膜上方提供栅电极。至少两个第一通路提供在第一互连层中并且通过它们的上端与半导体层接触。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件以及使用该半导体器件的SiP器件-CN201210370204.5有效
发明人：金子贵昭;井上尚也;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件以及使用该半导体器件的SiP器件。半导体器件包括逻辑电路和有源元件电路。逻辑电路设置有形成于半导体衬底中的半导体元件。有源元件电路设置有使用半导体层形成的晶体管，该半导体层形成于在半导体衬底上方形成的第一绝缘膜上。由逻辑电路控制有源元件电路。
半导体器件以及使用 sip 器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210166810.5有效
发明人： 井上尚也;金子贵昭;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明使得能够降低半导体元件的导通电阻而不会妨碍半导体器件中的防扩散膜的功能，该半导体器件具有使用布线层中的布线作为栅电极并且具有与防扩散膜在同一层中的栅极绝缘膜的半导体元件。第一布线和栅电极嵌入在包括第一布线层的绝缘层的表面层中。防扩散膜形成在第一布线层和第二布线层之间。通过在防扩散膜的上面上与栅电极重叠的区域中以及该区域周围形成凹陷；并且减薄该部分来形成栅极绝缘膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201280012204.6有效
发明人：金子贵昭;井上尚也;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件，所述半导体器件包括：半导体器件形成于其上的半导体衬底；第一焊盘及第二焊盘；形成于半导体衬底之上的第一绝缘膜；嵌入到设置于第一绝缘膜内的沟槽中的多个布线线路；设置为覆盖第一绝缘膜和多个布线线路的第二绝缘膜；形成于第二绝缘膜之上的半导体层；与半导体层连接的源电极；以及与半导体层连接的漏电极。多个布线线路包括设置于与半导体层相对的位置的栅电极。半导体层、源电极、漏电极和栅电极构成ESD保护器件以释放由ESD浪涌导致的从第一焊盘到第二焊盘的电流。
半导体器件

[发明专利]制造多孔绝缘膜的方法和包含所述多孔绝缘膜的半导体器件-CN201310049111.7有效
发明人： 井上尚也;田上政由 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及制造多孔绝缘膜的方法和包含所述多孔绝缘膜的半导体器件。通过经由CVD在半导体衬底上沉积烷基化的环状硅氧烷前体而制造具有高弹性模量的低k多孔绝缘膜。在CVD期间或在所沉积的膜上原位进行CVD的等离子体增强。在受控的温度和时间条件下进行膜的UV固化，其在相邻环部分之间产生紧密键合结构而不破坏Si-O环键合。
制造多孔绝缘方法包含半导体器件

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201310040124.8有效
发明人：砂村润;井上尚也;金子贵昭 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提供一种容易地可制造的半导体器件，其包括具有彼此不同的特性的两个晶体管。该半导体器件包括：衬底；多层布线层，该多层布线层被设置在衬底上；第一晶体管，该第一晶体管被设置在多层布线层中；以及第二晶体管，该第二晶体管被设置在多层布线层的与包括被设置在其中的第一晶体管的层不同的层中，并且具有与第一晶体管的特性不同的特性。这能够提供容易制造的半导体器件，其包括具有彼此不同特性的两个晶体管。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法-CN201210545318.9有效
发明人：金子贵昭;井上尚也;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件和制造该半导体器件的方法，该半导体器件在互连层中具有晶体管。形成层间绝缘膜。然后在层间绝缘膜中掩埋第一栅电极和第二栅电极。然后，在层间绝缘膜上方、在第一栅电极上方并且在第二栅电极上方形成防扩散膜。然后，在存在于第一栅电极上方的防扩散膜上方形成第一半导体层。然后，在第一半导体层的上表面上方和侧面上并且在防扩散膜上方形成绝缘覆盖膜。然后，在绝缘覆盖膜上方形成半导体膜。然后，选择性地去除半导体膜以留下位于第二栅电极上方的部分，从而形成第二半导体层。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210284956.X有效
发明人：砂村润;井上尚也;金子贵昭 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。使用半导体层的元件形成在布线层之间，并且同时使用除用于布线的材料之外的导电材料形成栅电极。第一布线嵌入第一布线层的表面中。栅电极形成在第一布线上。栅电极耦合至第一布线。通过与用于第一布线的工艺不同的工艺形成栅电极。因此，使用除用于第一布线的材料之外的材料形成栅电极。而且，在栅电极上形成栅极绝缘膜和半导体层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210019869.1有效
发明人：间部谦三;井上尚也;肱冈健一郎;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：位于衬底上的多层布线层，并且其中堆叠了由布线和绝缘层构成的多个布线层；存储电路，其形成在衬底中的存储电路区域，并且具有嵌入在位于多层布线层中的凹部中的电容元件；逻辑电路，其形成在衬底中的逻辑电路区域；上部耦合布线，其堆叠在由下部电极、电容器绝缘膜和上部电极构成的电容元件上；以及帽盖层，其形成在构成逻辑电路的布线的上表面上。上部耦合布线的上表面和帽盖层的上表面构成同一平面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201110135436.8有效
发明人：肱冈健一郎;久米一平;井上尚也;白井浩树;川原润;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件具有：衬底；多层互连，其形成在衬底上，并且具有多个互连层，其中每一个互连层通过堆叠在其中的互连和绝缘层构成；存储器电路，在平面图中其形成于衬底上的存储器电路区域中，并且具有外围电路和在多层互连中嵌入的至少一个电容器元件；以及，逻辑电路，其形成于在衬底上的逻辑电路区域中，其中，电容器元件由下电极、电容器绝缘膜、上电极、嵌入电极和上互连构成；上互连的上表面和在与上互连相同的互连层中形成的构成逻辑电路的互连的顶表面被对齐到相同的平面。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及制造该半导体器件的方法-CN98102508.0无效
发明人：林喜宏;井上尚也;小林壮太 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-06-17 - 公布日： 1998-12-23 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种制作半导体器件的方法,能在不损坏电容器的金属氧化物电介质的情况下可靠地连接MOS晶体管。在半导体基片上形成具有源/漏区和栅极的晶体管,在基片上形成一个电容器,该电容器具有电容器上置、下置电极和置于电容器上置与下置电极间的金属氧化物电介质膜。一个绝缘膜形成于电容器上将电容器覆盖,形成一个贯穿该绝缘膜的晶体管接触孔。形成一个电容器接触孔提供与电容器的电连接。本发明还提供了用上述方法制作的器件。
一种半导体器件制造方法

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