[发明专利]半导体芯片封装结构及封装方法有效
申请号: | 201210478147.2 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN102945840A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 王之奇;喻琼;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种半导体芯片封装结构及封装方法,其中,所述封装结构包括:芯片,所述芯片上设置有控制电路;第一电连接件,电性连接所述控制电路;第二电连接件,通过再分布线路电性连接所述第一电连接件;其中,所述再分布线路和所述芯片的表面之间还设有第二绝缘层和第一绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层,且所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。与现有技术相比,本发明通过在晶圆封装结构的通孔壁上设置双层绝缘层,提高了芯片的绝缘稳定性及信耐性,且相对地简化了工艺流程。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片封装结构,包括:芯片,所述芯片上设置有控制电路;第一电连接件,电性连接所述控制电路;第二电连接件,通过再分布线路电性连接所述第一电连接件;其特征在于,所述再分布线路和所述芯片的表面之间还设有第二绝缘层和第一绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层,且所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。
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