[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210407214.1 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103531578B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 傅宗民;陈文豪;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括工件以及设置在工件上方并位于金属化层中的多条第一导线。多条第二导线设置在工件上方并位于金属化层中。在工件的截面中，多条第二导线的垂直高度大于多条第一导线的垂直高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：工件；多条第一导线，设置在所述工件的上方并位于金属化层中；以及多条第二导线，设置在所述工件的上方并位于所述金属化层中，其中在所述工件的截面中，所述多条第二导线的垂直高度大于所述多条第一导线的垂直高度，其中，在所述工件的截面中，所述多条第一导线包括第一水平宽度，并且在所述工件的截面中，所述多条第二导线包括第二水平宽度，其中所述第二水平宽度小于所述第一水平宽度。
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