[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201210395198.9 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103077966A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 森日出树 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包括：第一导电型基极，其形成于基板的表面上；第二导电型发射极，其形成于基极的表面上；第二导电型掺杂区，其在从发射极接收第一型载流子的同时将第一型载流子注入基极中，并且在基极的表面上与发射极隔开地布置；以及第二导电型集电极，其隔着基极而形成于发射极和掺杂区的相反侧。本发明的半导体器件，因为设有掺杂区，所述掺杂区在从发射极接收第一型载流子的同时将第一型载流子注入基极中，故可具有高的厄利电压和高的电流放大系数。而且，即使在与CMOS晶体管一起制造的情况下，仍可采用较少的制造步骤以进行制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：第一导电型基极，其形成于基板的表面上；第二导电型发射极，其形成于所述基极的表面上；第一个第二导电型掺杂区，其在从所述发射极接收第一型载流子的同时将所述第一型载流子注入所述基极中，并且在所述基极的表面上与所述发射极隔开地布置；以及第二导电型集电极，其隔着所述基极而形成于所述发射极和所述第一个第二导电型掺杂区的相反侧。
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