[发明专利]半导体装置、半导体装置的栅极结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210357855.0 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103681803A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 廖政华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体装置、半导体装置的栅极结构及其制造方法。其中该栅极结构由沟渠所定义，所述沟渠具有第一氧化层及第二氧化层。本发明也提供一种本发明的栅极结构的制造方法，所述栅极结构由具有第一氧化层及第二氧化层的沟渠所定义。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的栅极结构，其特征在于其包括：基底；第一介电层，配置在所述基底上；第一导体层，配置在所述第一介电层上；沟渠，位于所述第一介电层及所述第一导体层旁，其中所述沟渠具有宽度与一第一侧壁；第二介电层，沿所述第一侧壁而配置，其中所述第二介电层具有厚度；第三介电层，填满所述沟渠的剩下的开口部分，其中所述厚度与所述宽度的比例为5％到15%。
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