[发明专利]半导体装置、半导体装置的栅极结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的栅极结构，其特征在于其包括：

基底；

第一介电层，配置在所述基底上；

第一导体层，配置在所述第一介电层上；

沟渠，位于所述第一介电层及所述第一导体层旁，其中所述沟渠具有宽度与一第一侧壁；

第二介电层，沿所述第一侧壁而配置，其中所述第二介电层具有厚度；

第三介电层，填满所述沟渠的剩下的开口部分，

其中所述厚度与所述宽度的比例为5％到15%。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的栅极结构，其特征在于其中所述第二介电层的蚀刻速率小于所述第三介电层的蚀刻速率。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的栅极结构，其特征在于其中所述第二介电层为沉积氧化层，而所述第三介电层为旋涂式介电氧化层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的栅极结构，其特征在于其中所述第二介电层的硅比例与所述第三介电层的硅比例不相同。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的栅极结构，其特征在于其中所述第二介电层包括非晶硅氧化物，而所述第三介电层为热氧化层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的栅极结构，其特征在于其中所述第二介电层仅部分地围绕所述第一导体层的一第二侧壁。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的栅极结构，其特征在于其中所述第二介电层的上部保持未被所述第三介电层所覆盖。

8.根据权利要求2所述的半导体装置的栅极结构，其特征在于其更包括第四介电层，配置在所述第一导体层、所述第二介电层及所述第三介电层上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的栅极结构，其特征在于其中所述第四介电层为氧化物/氮化物/氧化物堆叠层。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的栅极结构，其特征在于其更包括第二导体层，配置在所述第四介电层上。

11.一种栅极结构的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供基底；

在所述基底上形成第一介电层；

在所述第一介电层上配置第一导体层；

形成在所述第一介电层及所述第一导体层旁的沟渠，其中所述沟渠具有宽度；

沿着所述沟渠的侧壁形成第二介电层，其中所述第二介电层具有厚度；以及

在所述第二介电层上形成第三介电层，

其中所述厚度与所述宽度的比例为5%到15%。

12.根据权利要求11所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其更包括蚀刻所述第二介电层及所述第三介电层。

13.根据权利要求11所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其中所述第二介电层的蚀刻速率小于所述第三介层的蚀刻速率。

14.根据权利要求11所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其中所述第二介电层覆盖所述沟渠的底部且覆盖所述沟渠的所述侧壁的下部。

15.根据权利要求14所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其中所述第三介电层配置在所述第二介电层上，且使所述第二介电层的上部未暴露出。

16.根据权利要求11所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其中所述第二介电层为第一氧化层，而所述第三介电层为第二氧化层。

17.根据权利要求16所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其中所述第一氧化层使用沉积工艺来形成，而所述第二氧化层为旋涂式介电氧化层。

18.根据权利要求16所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其中所述第一氧化层的硅比例与所述第二氧化层的硅比例不相同。

19.根据权利要求11所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其更包括在所述第一导体层、所述第二介电层及所述第三介电层上配置第四介电层。

20.根据权利要求19所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其中所述第四介电层为氧化物/氮化物/氧化物堆叠层。

21.根据权利要求19所述的栅极结构的制造方法，其特征在于其更包括在所述第四介电层上形成第二导体层。