[发明专利]一种分割环栅的抗辐照MOSFET有效
| 申请号： | 201210341406.7 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102832250A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王向展;王凯;李念龙;于文华;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 盛明洁 |
| 地址： | 610054 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种分割环栅的抗辐照MOSFET，涉及半导体器件领域，尤其涉及一种分割环栅MOSFET的方法。本发明对环栅MOSFET进行分割，解决环栅结构难以实现较小宽长比W/L的问题，以期减小沟道泄漏电流和器件面积。本发明根据分割区的不同提出了三种结构，结构一的分割区用场氧实现，减小了环栅栅宽W，而且有一定的抗辐照特性。结构二在分割区引入多晶硅栅（金属栅），抑制源漏间寄生漏电沟道，有较强的抗辐照性能。结构三只分割源/漏极，形成一种有抗辐照特性的电流镜，这种电流镜也可用在无辐照的环境中。分割后的结构可抑制源漏间寄生漏电沟道，具有抗辐照特性，且易与传统MOSFET工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分割 辐照 mosfet | ||
【主权项】：
一种分割环栅的抗辐照MOSFET，含有漏/源极(1)、栅极(2)和源/漏极(3)，其特征在于：用分割区(4)对环栅MOSFET进行分割，分割成两个以上MOSFET，分割出的各个MOSFET之间是共源/共漏、或共栅共源/共栅共漏结构。
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