[发明专利]一种分割环栅的抗辐照MOSFET

权利要求书

1.一种分割环栅的抗辐照MOSFET，含有漏/源极(1)、栅极(2)和源/漏极(3)，其特征在于：用分割区(4)对环栅MOSFET进行分割，分割成两个以上MOSFET，分割出的各个MOSFET之间是共源/共漏、或共栅共源/共栅共漏结构。

2.根据权利要求1所述的分割环栅的MOSFET，其特征在于：分割区(4)只采用场氧隔离，分割出的各个MOSFET之间是共源/共漏结构，分割后减小了环栅的栅宽W，使W/L减小。

3.根据权利要求1所述的分割环栅的抗辐照MOSFET，其特征在于：分割区(4)由场氧(5)、多晶硅栅、或金属栅(7)和栅氧(8)组成，在分割区(4)内多晶硅栅、或金属栅(7)，从分割出的MOSFET栅宽处向有源区外延伸，其余部分为场氧(5)，分割出的各个MOSFET之间是共源/共漏结构，能抑制源漏间寄生漏电通道。

4.根据权利要求1所述的分割环栅的抗辐照MOSFET，其特征在于：分割区(4)由场氧(5)、多晶硅栅、或金属栅(7)、栅氧(8)和介质(9)组成，多晶硅栅、或金属栅(7)将分割开的MOSFET栅极连接在一起，即分割后的各个MOSFET之间是共栅共源/共栅共漏结构，该分割后的结构对称、紧凑，用以实现电流镜、或电流沉结构的版图设计，以及用于抗辐照电流镜、或电流沉的设计，且具有抗辐照的性能。

5.根据权利要求1所述的分割环栅的抗辐照MOSFET，其特征在于：对分割的环栅MOSFET其栅极形状为多边形环、或圆环。

6.根据权利要求2、3、4所述的分割环栅的抗辐照MOSFET，其特征在于：场氧(5)可采用LOCOS工艺、或STI工艺、或槽隔离工艺方法。

7.根据权利要求3、4所述的分割环栅的抗辐照MOSFET，其特征在于：对于环栅PMOS晶体管，分割区内引入的多晶硅栅、或金属栅(7)的栅极材料采用N+多晶硅、或铝、或铜；对于环栅NMOS晶体管，分割区内引入的多晶硅栅、或金属栅(7)的栅极材料采用P+多晶硅、或铝、或铜，同时分割环栅PMOS和环栅NMOS即可实现抗辐照的CMOS器件。

8.根据权利要求1所述的分割环栅的抗辐照MOSFET, 其特征在于：分割区(4) 的位置与尺寸决定MOSFET的宽长比W/L,增加分割区(4)的数量，可以增加分割后共源/共漏MOSFET、或共栅共源/共栅共漏MOSFET的数量。

9.根据权利要求4所述的分割环栅的抗辐照MOSFET, 其特征在于：改变分割区(4)的位置和尺寸，能改变输入电流和镜像电流的比例，能形成各种比例的电流镜。