[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种假栅结构的制造方法。本发明在假栅材料层之上形成了ONO结构和顶层非晶硅层，首先以图案化的顶层非晶硅层为掩膜对ONO结构进行刻蚀，能够精确地控制其尺寸和剖面形貌，使ONO结构成为所期望的假栅材料层的掩膜，并且能够控制ONO各层刻蚀速率和厚度；接着，以ONO结构为掩膜刻蚀假栅材料层，同样实现图形的精确转移，使得假栅关键尺寸和剖面形貌得到精确控制，使得后续形成的金属栅极具有良好的粗糙度，保证了器件的性能及其稳定性。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成假栅栅极氧化层和假栅材料层；在所述假栅材料层之上形成ONO结构，其从下至上包括第一氧化物层，氮化物层，第二氧化物层；在所述ONO结构之上形成顶层非晶硅层；在所述顶层非晶硅层之上形成图案化光刻胶层；以所述图案化光刻胶层为掩膜，对所述顶层非晶硅层进行刻蚀，刻蚀停止在所述ONO结构的最上层；以所述图案化光刻胶层以及剩余的所述顶层非晶硅层为掩膜，对所述ONO结构进行刻蚀，刻蚀停止在所述假栅材料层的上表面上；去除所述图案化光刻胶层；对所述假栅材料层进行刻蚀，刻蚀停止在所述假栅栅极氧化层的上表面上，形成所需要的假栅结构；其中，对所述假栅材料层进行刻蚀具体包括：以剩余的所述顶层非晶硅层和所述ONO结构为掩膜，对所述假栅材料层进行刻蚀，刻蚀停止在所述假栅栅极氧化层的上表面上，同时，剩余的所述顶层非晶硅层也在该步骤中被完全除去。