[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201210305567.0 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN102983118A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 严大成 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 石卓琼;俞波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:至少4个导线组,所述至少4个导线组被平行布置在一个存储器单元块之上,并且每个导线组被配置成包括导线;第一接触焊盘,所述第一接触焊盘可以在第一方向上与4个导线组中的两个导线组的导线的各个端部耦接;以及第二接触焊盘,所述第二接触焊盘可以在与第一方向相反的第二方向上与4个导线组中的其余两个导线组的导线的各个端部耦接。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:至少4个导线组,所述至少4个导线组被平行布置在一个存储器单元块之上,并且每个导线组被配置成包括导线;第一接触焊盘,所述第一接触焊盘在第一方向上与所述4个导线组中的两个导线组的导线的各个端部耦接;以及第二接触焊盘,所述第二接触焊盘在与所述第一方向相反的第二方向上与所述4个导线组中的其余两个导线组的导线的各个端部耦接。
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