[发明专利]功率MOSFET芯片保护结构制造方法

摘要

发明公开了一种功率MOSFET芯片保护结构制造方法，在硅片上刻蚀出一个凹槽，在硅片上常温淀积第二层二氧化硅，在所述凹槽底部进行硅线条结构的光刻和刻蚀，在所述凹槽底部进行硅线条结构的光刻和刻蚀时，其光刻图形呈网格状，然后经二氧化硅去除、场氧化、二氧化硅填充等工艺过程，形成功率MOSFET芯片保护结构。本发明的功率MOSFET 芯片保护结构制造方法，能保证芯片保护结构的性能，而且不易导致硅片翘曲变形，降低了工艺难度，增加了工艺容忍度，有利于生产控制。

主权项

一种功率MOSFET芯片保护结构制造方法，包括以下步骤：一.在硅片上生长第一层二氧化硅；二.在第一层二氧化硅上生长一层氮化硅；三.在功率MOSFET芯片周边的场氧区域，进行干法刻蚀，在硅片上刻蚀出一个凹槽；四.在硅片上常温淀积第二层二氧化硅；五.在所述凹槽底部进行硅线条结构的光刻和刻蚀；六.将第二层二氧化硅去除，保留硅片表面的氮化硅；七.进行场氧化，使所述凹槽处的硅片氧化成二氧化硅；八.在硅片上生长第三层二氧化硅，进行芯片保护结构的二氧化硅的填充；九.将所述凹槽外的第三层二氧化硅去除，形成功率MOSFET芯片保护结构；其特征在于，步骤五中，在所述凹槽底部进行硅线条结构的光刻和刻蚀，其光刻图形呈网格状，网格状的所述光刻图形，包括垂直交叉的光阻经线与光阻纬线。