[发明专利]功率MOSFET芯片保护结构制造方法有效

申请号：	201210296876.6	申请日：	2012-08-20
公开（公告）号：	CN103632961A	公开（公告）日：	2014-03-12
发明（设计）人：	孟鸿林;周正良;郭晓波	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/31
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	王江富
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	功率 mosfet 芯片保护结构制造方法
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【权利要求书】：

1.一种功率MOSFET芯片保护结构制造方法，包括以下步骤：

一.在硅片上生长第一层二氧化硅；

二.在第一层二氧化硅上生长一层氮化硅；

三.在功率MOSFET芯片周边的场氧区域，进行干法刻蚀，在硅片上刻蚀出一个凹槽；

四.在硅片上常温淀积第二层二氧化硅；

五.在所述凹槽底部进行硅线条结构的光刻和刻蚀；

六.将第二层二氧化硅去除，保留硅片表面的氮化硅；

七.进行场氧化，使所述凹槽处的硅片氧化成二氧化硅；

八.在硅片上生长第三层二氧化硅，进行芯片保护结构的二氧化硅的填充；

九.将所述凹槽外的第三层二氧化硅去除，形成功率MOSFET芯片保护结构；

其特征在于，步骤五中，在所述凹槽底部进行硅线条结构的光刻和刻蚀，其光刻图形呈网格状，网格状的所述光刻图形，包括垂直交叉的光阻经线与光阻纬线。

2.根据权利要求1所述的功率MOSFET芯片保护结构制造方法，其特征在于，

光阻经线包括交叉区、非交叉区，光阻纬线包括交叉区、非交叉区，光阻经线的交叉区的长度、线宽与光阻纬线的交叉区长度、线宽分别相等，光阻经线的非交叉区的长度、线宽与光阻纬线的非交叉区的长度、线宽分别相等，交叉区的线宽小于非交叉区的线宽，交叉区的长度大于非交叉区的线宽并且小于非交叉区的1.5倍线宽，光阻经线与光阻纬线通过交叉区的中心点垂直交叉。

3.根据权利要求2所述的功率MOSFET芯片保护结构制造方法，其特征在于，

光阻经线的交叉区包括中心区、过渡区，光阻纬线的交叉区包括中心区、过渡区，中心区的中心点作为交叉区的中心点，过渡区位于中心区同非交叉区之间，中心区的线宽大于过渡区的线宽。

4.根据权利要求2所述的功率MOSFET芯片保护结构制造方法，其特征在于，中心区的长度等于中心区的线宽。

5.根据权利要求4所述的功率MOSFET芯片保护结构制造方法，其特征在于，光阻经线及光阻纬线的非交叉区的线宽小于场氧化的最大能力值。

6.根据权利要求5所述的功率MOSFET芯片保护结构制造方法，其特征在于，光阻经线及光阻纬线的非交叉区的线宽小于0.45um。

7.根据权利要求5所述的功率MOSFET芯片保护结构制造方法，其特征在于，所述第一层二氧化硅的厚度为400埃；

所述氮化硅的厚度为1500埃；

所述凹槽的深度为5000埃；

所述第二层二氧化硅的厚度为6000埃；

所述第三层二氧化硅的厚度为6000埃。

8.根据权利要求1所述的功率MOSFET芯片保护结构制造方法，其特征在于，所述功率MOSFET芯片为LDMOS芯片。

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