[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210291299.1 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594369B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 周晓君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤提供SOI衬底，在所述衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧的衬底中形成源漏区；在源端的浅沟槽隔离结构中形成一沟槽以漏出部分源以及衬底的侧面；在所述栅极结构、源漏区上形成金属硅化物，同时在所述沟槽内形成金属硅化物以电连接所述源端和所述衬底。根据本发明的半导体器件的制造方法，通过在源端边缘开孔形成金属硅化物连接器件的源和衬底，使得器件工作在饱和区时由于热载流子碰撞而产生的空穴可以通过此硅化物导出衬底，使衬底和源端保持同电势，从而消除kink效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供SOI衬底，在所述衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧的衬底中形成源漏区；仅在源端的浅沟槽隔离结构中形成沟槽以漏出部分源以及衬底的侧面，其中所述沟槽的个数为2个，对称形成在所述栅极结构两端的浅沟槽隔离结构中；在所述栅极结构、源漏区上以及所述沟槽内同时形成金属硅化物，在所述沟槽内形成金属硅化物的同时电连接所述源端和所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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