[发明专利]半导体装置、电气光学装置、电力转换装置及电子设备有效
| 申请号： | 201210288637.6 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102956682A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 岛田浩行 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制元件特性的降低的半导体装置。所述半导体装置包括：硅基板(11)；形成在硅基板(11)的表面的碳化硅膜(12)；形成在碳化硅膜(12)的表面且具有开口部(13h)的掩膜件(13)；以在开口部(13h)露出的碳化硅膜(12)为基点进行外延生长，而覆盖碳化硅膜(12)及掩膜件(13)的单晶碳化硅膜(14)；形成在单晶碳化硅膜(14)的表面上的半导体元件(20)，在掩膜件(13)上存在单晶碳化硅膜(14)缔合而形成的缔合部(12Sb)，半导体元件(20)具有主体接触区域(21)，主体接触区域(21)配置在从与硅基板(11)的表面正交的方向观察时与缔合部(12Sb)重叠的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电气 光学 电力 转换 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：含有硅的基体；配置在所述硅的表面的第一碳化硅膜；配置在所述第一碳化硅膜的表面的掩膜件；对所述掩膜件的开口部的所述第一碳化硅膜及所述掩膜件进行覆盖的第二碳化硅膜，包括所述第二碳化硅膜的至少一部分的半导体元件具备主体接触区域，所述主体接触区域包括所述第二碳化硅膜的缔合缺陷。
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