[发明专利]半导体装置、电气光学装置、电力转换装置及电子设备有效
| 申请号： | 201210288637.6 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102956682A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 岛田浩行 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电气 光学 电力 转换 电子设备 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
含有硅的基体；
配置在所述硅的表面的第一碳化硅膜；
配置在所述第一碳化硅膜的表面的掩膜件；
对所述掩膜件的开口部的所述第一碳化硅膜及所述掩膜件进行覆盖的第二碳化硅膜，
包括所述第二碳化硅膜的至少一部分的半导体元件具备主体接触区域，
所述主体接触区域包括所述第二碳化硅膜的缔合缺陷。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二碳化硅膜通过以所述掩膜件的开口部的所述第一碳化硅膜为基点进行外延生长而成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体元件还具备包括源极区域、漏极区域、栅极区域的晶体管区域，
在所述主体接触区域与所述漏极区域之间配置所述源极区域，
在所述晶体管区域没有配置所述缔合缺陷。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述掩膜件在从与所述第一碳化硅膜的表面交叉的方向观察时沿第一方向延伸，
所述缔合缺陷沿着所述第一方向配置，
所述主体接触区域在从与所述第一碳化硅膜的表面交叉的方向观察时沿第一方向延伸，
所述源极区域、所述漏极区域及所述栅极区域沿着所述主体接触区域配置。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二碳化硅膜为立方晶碳化硅膜。
6.一种电气光学装置，其特征在于，包括权利要求1～5中任一项所述的半导体装置。
7.一种电力转换装置，其特征在于，包括权利要求1～5中任一项所述的半导体装置。
8.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求6所述的电气光学装置。
9.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求7所述的电力转换装置。
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