[发明专利]栅极结构、半导体器件和两者的形成方法无效
| 申请号： | 201210246111.1 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103545189A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 杨红;王文武;殷华湘;闫江;马雪丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李可;姜义民 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及栅极结构、半导体器件和两者的形成方法。本公开的实施例提供一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成界面层；在所述界面层上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅介质保护层；在所述栅介质保护层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成吸氧元素层；在所述吸氧元素层上形成吸氧元素保护层；进行金属化后退火；进行刻蚀，直至露出所述刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成功函数调整层；以及在所述功函数调整层上形成栅层。本公开实施例提供的栅极结构形成方法能够有效降低等效栅氧化层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 半导体器件 两者 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成界面层；在所述界面层上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅介质保护层；在所述栅介质保护层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成吸氧元素层；在所述吸氧元素层上形成吸氧元素保护层进行金属化后退火(PMA)；进行刻蚀，直至露出所述刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成功函数调整层；以及在所述功函数调整层上形成栅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
