[发明专利]用于受控层传送的方法有效

申请号：	201210196194.8	申请日：	2012-06-14
公开（公告）号：	CN102832115A	公开（公告）日：	2012-12-19
发明（设计）人：	S·W·贝德尔;K·E·佛格尔;P·A·劳罗;D·A·萨达纳	申请（专利权）人：	国际商业机器公司
主分类号：	H01L21/30	分类号：	H01L21/30
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	李玲
地址：	美国***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及受控层传送的方法。该方法包括向基底基板提供应激层。应激层具有位于基底基板的上表面上面的应激层部分和位于与基底基板的各侧壁边缘相邻的自钉扎应激层部分。然后，在基底基板的应激层部分上面施加散裂抑制体，然后，从应激层部分去耦合应激层的自钉扎应激层部分。然后从原始的基底基板散裂位于应激层部分下面的基底基板的一部分。散裂包含从应激层部分上面位移散裂抑制体。在散裂之后，从基底基板的散裂部分上面去除应激层部分。
搜索关键词：	用于受控传送方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

一种用于受控层传送的方法，包括：向基底基板提供应激层，所述应激层具有位于基底基板的上表面上面的应激层部分和位于与基底基板的各侧壁边缘相邻的自钉扎应激层部分；在应激层的应激层部分上面施加散裂抑制体；从应激层部分去耦合应激层的自钉扎应激层部分；散裂应激层部分下面的基底基板的一部分，其中，所述散裂包含从应激层部分上面位移散裂抑制体；和从基底基板的散裂部分上面去除应激层部分。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210196194.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

用于感应监测导电沟槽深度的基板特征-201580029870.4
发明人： W·陆;Z·王;W-C·图;Z·王;H·G·伊拉瓦尼;B·A·斯伟德克;F·C·雷德克;W·H·麦克林托克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/30
摘要：一种用于集成电路的制造的基板具有带有多个导电互连件的层。所述基板包括：半导体主体；设置在所述半导体主体上方的电介质层；导电材料的多个导电线，设置在所述电介质层中的第一沟槽中以提供导电互连件；以及所述导电材料的封闭的导电环路结构，设置在所述电介质层中的第二沟槽中。所述封闭的导电环路不电性连接至导电线中的任一导电线。

一种晶圆边缘找平的方法-201410273168.X
发明人：叶序明;宣胤杰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/30
摘要：一种晶圆边缘找平的方法，于晶圆上形成若干曝光单元，首先通过系统预先判断出在后续曝光过程中自身可以自动做水平校正的非完整曝光单元；然后对晶圆中心线以上所述非完整曝光单元进行从下向上扫描，对晶圆中心线以下所述非完整曝光单元进行从上向下扫描；最后得到有问题的曝光单元的最理想的找平方式。通过该方法可以最大限度的降低晶圆边缘非完整曝光单元离焦风险。提高了产品的良率。

处理晶圆的方法-201910030538.X
发明人：卡尔·海因茨·普利瓦西尔;星野仁志;D·迈尔 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L21/30
摘要：处理晶圆的方法。本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆(W)在一侧(1)上具有器件区域(2)，器件区域(2)具有多个器件(27)。特别地，该发明涉及一种方法，其包括：提供保护膜(4)，以及将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，使得保护膜(4)的前表面(4a)的至少中心区域与晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)直接接触。该方法还包括：在将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)期间和/或之后，向保护膜(4)施加外部刺激，使得保护膜(4)附接到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，以及处理晶圆(W)的一侧(1)和/或晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)。

用于使用耗尽光束形成亚微米特征结构的反应物的光子活化-201480042522.6
发明人：詹姆斯·弗朗西斯·麦克;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/30
摘要：精细特征结构的形成方法和装置在小于STED耗尽激光光束的直径或横截面的区域中提供光子诱发的沉积、蚀刻及基于热或光子的处理。至少两个STED耗尽光束被导引到基板上的反应位置，其中形成面积小于光束的激发部分的光束重叠区域。被引导到反应区域的反应物被两个光束的激发部分的组合能量激发，但未在所述光束的两个激发部分的重叠区域外部被激发。使反应物只在所述重叠区域中出现。所述重叠区域可以小于20nm宽，并且宽度小于1nm，以能够以小的面积形成基板特征结构或在基板中进行改变。

衬底的处理方法-201711134321.0
发明人：张锡明;姜信铨;黄彦余 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明提供一种衬底的处理方法，其使用衬底处理设备处理所述衬底，所述衬底处理设备包括反应腔室以及围绕所述反应腔室的辅助腔室，其中所述衬底的处理方法包括：将所述衬底置于所述反应腔室内；进行提升所述反应腔室及所述辅助腔室内的压力的工艺，以使所述辅助腔室内的压力介于一大气压与所述反应腔室内的压力之间；提高所述反应腔室内的温度；以及使衬底于所述反应腔室内经受所述超临界流体处理。

具有促进受控的调节的材料组成的CMP垫-201480043400.9
发明人： R·巴贾杰;C·E·伯恩;F·雷德克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本公开的实施例总体上提供了用于具有微结构的抛光制品或抛光垫的方法和设备，所述微结构在暴露于激光能时促进均匀的调节。在一个实施例中，提供包含第一材料与第二材料的组合的抛光垫，所述第一材料比所述第二材料对激光能更具反应性。在另一实施例中，提供使复合抛光垫织构化的方法。所述方法包括以下步骤：将激光能源引导到抛光垫的表面上，使具较高激光吸收率的第一材料内有较大剥蚀率，具较低激光吸收率的第二材料内有较小剥蚀率，从而提供与复合抛光垫的微结构一致的微织构化的表面。

半导体衬底的制备方法及半导体衬底-201811202711.1
发明人：邱宇航;周颖;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体衬底的制备方法及半导体衬底。所述半导体衬底的制备方法包括如下步骤：提供第一衬底；形成极性层于所述第一衬底表面，所述极性层用于吸收微波能量并将其转化为热能；形成第二衬底于所述极性层表面，所述第二衬底背离所述极性层的表面用于形成器件结构。本发明一方面避免了极性层对器件结构的损伤，改善了半导体器件的质量；另一方面大大简化了半导体衬底的制备步骤，提高了半导体器件的生产效率。

去疵层形成方法-201810389620.7
发明人：下房大悟;原田晴司;竹内宽树 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/30
摘要：提供去疵层形成方法，能够形成不使抗折强度降低的去疵层。一种去疵层形成方法，在晶片的背面上形成去疵层，该晶片在正面上形成有器件，其中，该去疵层形成方法包含如下的步骤：涂布步骤，将金属盐的溶液涂布在晶片的背面上；以及扩散步骤，在实施了涂布步骤之后，对晶片进行加热，使所涂布的溶液中的金属盐在背面侧扩散而形成去疵层。

用于处理半导体晶片的设备和方法-201610544080.6
发明人：斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;布雷特·杰森·哈拉姆;阿德莱恩·苏吉安托;凯瑟琳·艾米丽·尚;宋立辉;吕珮玄;艾利森·马里·文哈姆;林·迈;张子文;徐光琦;马修·布鲁斯·爱德华兹 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明涉及一种用于处理半导体晶片的设备和方法，以用于制造光伏装置，所述设备包括：加热区，在氢源的存在下，能操作以将所述半导体晶片的至少一个区域加热至至少100℃；以及冷却区，包括第一照射器件，所述第一照射器件被配置为在所述半导体晶片的冷却期间利用光子照射所述半导体晶片的表面。

防止在半导体元件中形成孔洞的方法-201710018275.1
发明人：陈海平;韩晓飞;唐斌;张聚宝;蒋超;廖鸿 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明公开一种防止在半导体元件中形成孔洞的方法，包括以下步骤。提供基底。在基底中具有多个隔离结构。隔离结构各自具有突出于基底的突出部。在相邻两个突出部之间具有掩模层。掩模层的顶部宽度小于掩模层的底部宽度。移除掩模层，而在相邻两个突出部之间形成开口。开口的顶部宽度小于开口的底部宽度。在开口中形成保护层。保护层的顶面低于隔离结构的顶面。以保护层为掩模，对隔离结构进行等离子体处理，以移除隔离结构各自的顶端边角部，且加宽开口的顶部宽度。移除保护层。在移除保护层之后，在开口中形成填充层。所述防止在半导体元件中形成孔洞的方法可有效地防止孔洞形成，进而提升半导体元件的可靠度。

非平面晶体管界面的基于氘的钝化-201580083172.2
发明人： P.马吉;G.A.格拉斯;A.S.墨菲;T.加尼;A.S.基拉姆帕利;M.R.巴拉齐尔;J.P.古普塔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/30
摘要：公开了用于非平面晶体管界面的基于氘的钝化的技术。在某些情况下，该技术可以包括在包括氘的气氛中在一系列温度、压强和时间下对包括晶体管的集成电路结构进行退火。在某些情况下，该退火工艺可能在高达50个大气压的压强下执行以增加穿透集成电路结构并到达要被钝化的界面的氘的量。要被钝化的界面可以包括例如晶体管导电沟道和邻接晶体管栅极电介质之间的界面和/或子沟道半导体和邻接浅沟槽隔离氧化物之间的界面。这样的界面是可能包括例如杂质、不完整键悬空键和断裂键的陷阱位点的常见位置，并且因此这样的界面可以受益于基于氘的钝化以改进晶体管的性能和可靠性。

用于提高发光二极管的效率的方法-201680028079.6
发明人： P·H·霍洛威;J·哈文恩;J·R·曼德斯;A·迪托夫;J·托卡兹;K·阿查亚 -专利权人：纳诺夫托尼卡公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/30
摘要：如下提供一种用于提高发光二极管(LED)的外部量子效率的方法使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件持续一定暴露时段暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围。另外提供用于构建具有提高的外部量子效率的发光二极管的套件和方法，其包括使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件持续一定暴露时段暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围。

晶圆控片及其制造方法-201610278144.2
发明人：三重野文健 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明提供了一种晶圆控片及其制造方法，所述制造方法包括步骤提供一多晶硅晶圆；在所述多晶硅晶圆的表面形成硅膜涂层；通过在多晶硅晶圆的表面形成硅膜涂层，保证了晶圆控片的抗压性，不会因为外部的压力发生破裂，并且采用多晶硅晶圆，不仅节省了晶圆控片的成本，而且避免引入其他的问题而影响到检测结果，保证了检测结果的准确性。

非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法-201310232183.5
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/30
摘要：一种非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法。所述非晶半导体材料的形成方法包括在半导体基底上形成半导体预备层；对半导体预备层进行紫外线照射处理至半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气；去除废气；重复形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤，直至在半导体基底上形成预定厚度的非晶半导体材料。所述金属硅化物的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底中包括源区和漏区；在源区和漏区上分别形成金属层；进行第一次退火处理；采用上述非晶半导体材料的形成方法在金属层上形成非晶半导体材料；进行第二次退火处理；去除非晶半导体材料。本发明可在400℃及以下的温度形成非晶半导体材料。

针对高频层转移器件的EMI屏蔽-201580042075.9
发明人： M·斯塔博 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/30
摘要：公开了涉及对射频层转移器件的EMI屏蔽的各种方法和设备。一种方法包括在绝缘体上覆半导体式晶片的有源层中形成射频场效应晶体管。绝缘体上覆半导体式晶片具有埋藏绝缘体侧和有源层侧。该方法进一步包括将第二晶片结合至该绝缘体上覆半导体式晶片的有源层侧。该方法进一步包括形成对该半导体器件的屏蔽层。该屏蔽层包括导电材料。该方法进一步包括将射频场效应晶体管耦合至包括射频组件的电路。该方法进一步包括将该射频场效应晶体管、射频组件、和该屏蔽层切单为管芯。该屏蔽层位于该射频组件的基板与该射频场效应晶体管之间。

具有用于半导体处理的平面热区的热板-201280046142.0
发明人：基思·威廉·加夫;基思·科门丹特;安东尼·里奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/30
摘要：用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的热板，其包括以可扩展多路复用布局方式排布的多个独立可控的平面加热器区以及独立地控制平面热区且对平面加热器区供电的电子装置。每个平面热区使用至少一个珀耳帖器件作为热电元件。并入有热板的衬底支撑组件包括静电箝位电极层和温度控制基板。用于制造热板的方法包括将具有平面热区、正线路、负线路和共用线路以及通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。

用于沉积斜面保护膜的方法-201180049955.0
发明人：纽戈·希恩;帕特里克·钟;金润相 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/30
摘要：一种以保护等离子体室中的晶片的斜面边缘的使用局部的等离子体沉积膜的方法。该方法包括调节可移动电极和固定电极之间的电极间隙，所述晶片被设置在可移动电极和固定电极中的一个上，该间隙距离配置为防止在晶片的中心部分上面形成等离子体，该间隙距离尺寸还设置成使得在调节后形成晶片斜面边缘的周围的等离子体可持续的条件。该方法还包括使沉积气体流入等离子体室。该方法包括使用加热器维持卡盘温度，该卡盘温度被配置成促进斜面边缘上的膜沉积。该方法进一步包括从沉积气体产生局部的等离子体用于在斜面边缘上膜的沉积。

用于基板处理的方法-201480065525.1
发明人：兰斯·A·斯卡德;查尔斯·盖伊;詹姆斯·M·吉;卡什夫·马克苏德;布莱恩·H·伯罗斯;朴太俊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/30
摘要：在本文中提供用于对基板进行处理的方法。在一些实施方式中，所述方法包括：提供被支撑在起始模板上的基板；将第一覆层粘附到所述基板的第一侧；将具有所述覆层的所述基板与所述起始模板分离；确定是否已经到达使用过的模板的使用寿命；以及如果尚未达到所述使用寿命，那么继续使用所述使用过的模板作为起始模板。

非化学计量化学气相沉积电介质膜表面钝化方法-201610269104.1
发明人：兰斯·金;金光勋 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明提供非化学计量化学气相沉积(CVD)电介质膜表面钝化方法。本发明提供一种用于在电介质膜的CVD中减小膜表面粗糙度的方法。所述方法可包含通过反应物从CVD电介质膜的膜表面移除悬挂键。所述电介质膜可包含出自以下群组中的至少一者：透紫外光氮化硅(UVSIN)、富硅氧化物(SRO)、二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、磷硅酸盐玻璃(PSG)或氧氮化硅(SiON)。所述反应物气体可包含出自以下群组中的至少一者：氨气(NH₃)、氢气(H₂)、一氧化二氮(N₂O)或氧气(O₂)。

减少缺陷的基板处理方法-201480023532.5
发明人：肖恩·R·柯克帕特里克 -专利权人：艾克索乔纳斯公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/30
摘要：一种用于处理基板表面的方法使用源自气体团簇离子束的中性射束辐照以及由此产生的包括光刻光掩膜基板的制品。一个实施例提供了处理包含一个或多个嵌入粒子或包含亚表面损伤的基板的表面的方法，该方法包含以下步骤：提供减压室；在减压室中形成包含气体团簇离子的气体团簇离子束；在减压室中加速气体团簇离子以形成沿射束路径的加速的气体团簇离子束；促使沿射束路径的至少一部分加速的气体团簇离子分裂和/或离解；在减压室中从射束路径中去除带电粒子以形成沿射束路径的加速的中性射束；将表面保持在射束路径中；以及通过辐照处理基板的至少一部分表面。

局部薄层硅的制作方法-201410242657.9
发明人：宋亮;张森 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明提供一种局部薄层硅的制作方法，所述方法包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括薄层硅区域和非薄层硅区域；在所述SOI衬底的表面上形成保护层；对所述保护层进行图案化，以去除所述薄层硅区域所对应的保护层；采用热氧化法在所述薄层硅区域内形成第一氧化层；去除所述第一氧化层，以在所述SOI衬底的表面形成浅槽；在所述浅槽的侧壁上形成阻挡侧墙；以及采用热氧化法在所述浅槽内形成第二氧化层。该制作方法可以在对薄层硅区域进行氧化的过程中控制形成的“鸟嘴”的长度，使其不会随着氧化层的厚度增加而变长，即，可以在减小薄层硅区域的厚度的同时，保持非薄层硅区域的有效面积不变，从而可以提高工艺的集成度。

原位刻蚀方法-201510010448.6
发明人：吕红亮;贾仁需;王悦湖;汤晓燕;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明涉及一种原位刻蚀方法，方法包括：将利用正轴4H或6H的原始碳化硅SiC衬底加工成的加工SiC衬底利用超声进行清洗；利用碱性混合剂将加工SiC衬底在85度温度下煮浴20分钟；利用浓硫酸混合液将加工SiC衬底在85度温度下煮浴20分钟；利用外延炉对零偏角的加工SiC衬底进行原位刻蚀；当外延炉温度降低到700℃以后，停止通入氢气，并抽取真空到低于1×10-7mbar；缓慢提高外延炉气压到常压，使加工SiC衬底自然冷却至室温，取出SiC外延片。本发明原位刻蚀方法能够刻蚀出最佳衬底表面形貌的原位刻蚀工艺，提升SiC异质外延生长质量。

用于使用激光及等离子体蚀刻的晶圆切割的均匀遮蔽-201380033868.5
发明人： M·K·乔杜里;B·伊顿;T·伊根;A·库玛;W-S·类;M·R·亚拉曼希里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本文描述了用于使用激光及等离子体蚀刻的晶圆切割的均匀遮蔽。在实例中，一种切割具有数个具有凸块或立柱的集成电路的半导体晶圆的方法包括以下步骤：在半导体晶圆之上均匀地旋涂遮罩，该遮罩由覆盖及保护集成电路的层所组成。然后，利用激光划割工艺图案化该遮罩，以提供具有间隙的已图案化遮罩，从而曝露集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后，经由已图案化遮罩中的间隙蚀刻半导体晶圆，以分割集成电路。

半导体装置的制造方法-201410360240.2
发明人：蔀拓一郎;川濑祐介;山下润一;吉野学 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明的目的在于提供一种能够抑制衬底翘曲的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有：在衬底(15)的正面形成正面氮化膜(16A)，在该衬底的背面形成背面氮化膜(16B)的工序；在该正面氮化膜上形成保护膜(18)的工序；利用该保护膜保护该正面氮化膜，与此同时，利用湿蚀刻去除该背面氮化膜的工序；在去除该背面氮化膜之后，去除该保护膜的工序；对该正面氮化膜进行图案化而在该正面氮化膜上形成开口(20)的工序；以及在从该开口露出的该衬底的正面形成第1氧化膜(22)，与此同时，在该衬底的背面形成第2氧化膜(24)的工序。

用于形成光电子装置的技术-201380023625.3
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆 -专利权人：硅源公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L21/30
摘要：描述了涉及使用粒子加速器光束来从大块基板形成材料的薄膜的实施方式。在具体实施方式中，具有顶表面的大块基板被暴露到加速粒子的光束中。在某些实施方式中，该大块基板可包括GaN；在其他实施方式中，该大块基板可包括(111)单晶硅。然后，通过沿着由从光束灌输的颗粒形成的劈裂区域进行受控劈裂过程将薄膜或薄片材料与所述大块基板分离。在某些实施方式中，该分离的材料被直接结合在光电子装置内，例如，与从GaN大块材料劈裂的GaN薄膜。在一些实施方式中，该分离的材料可被用作模板，用于对光电子装置有用的的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长。

半导体器件制造方法-201410286244.0
发明人：茶木原启;中江彰宏;筱原正昭;石井泰之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，消除了以下可能性，当薄膜被处理若干次时，在图案之上形成薄的光刻胶薄膜用作对准标记等，并且在处理步骤中从光刻胶薄膜暴露图案并且去除图案，以便于改进半导体器件的可靠性。用作对准标记等的图案是作为形成在半导体衬底之上导电薄膜中开口的线性沟槽，由此防止导电薄膜之上的光刻胶薄膜流向导电薄膜中的开口。

防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法及背封结构-201410078634.9
发明人：陶有飞;杨青森 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明提供一种防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法及背封结构，其中，该方法包括步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底系用于多层离子注入、多层外延生长形成超结结构；在该半导体衬底的背面形成第一背封保护层，该第一背封保护层为正硅酸乙酯层；在该第一背封保护层的表面形成第二背封保护层。本发明在原背封保护层的基础上，增加一层新的较硬的背封保护层，避免了多次外延生长和其他工艺造成背封结构损伤，从而不会为下次外延生长提供生长核，杜绝了在晶圆片背面形成多晶颗粒。该新增的背封保护层在外延生长时，整个背面都可均匀地生长外延层，使衬底所在的晶圆片背面始终能够保持平整，不影响光刻等后续工艺，提升了良率和在线产量。

用于自发式材料剥落的低温方法-201280026784.4
发明人： M·M·卡亚特;N·E·索萨科提斯;K·L·森格尔;S·W·比德尔;D·K·萨达那 -专利权人：国际商业机器公司;阿卜杜勒阿齐兹国王科技城
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/30
摘要：提供了用于以下（i）和（ii）的方法：（i）在材料剥落过程中引入额外的控制，由此改善裂缝引发和传播，以及（ii）增加可选择的剥落深度的范围。在一个实施例中，该方法包括在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温。接下来,使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度。在所述第二温度下剥落所述基体衬底，以形成剥落的材料层。之后，将所述剥落的材料层恢复到室温，即，所述第一温度。

半导体层的氢钝化方法-201180058390.2
发明人： P·施特纳;S·韦伯;M·克勒;M·帕茨;R·卡里乌斯;T·布龙格 -专利权人：赢创德固赛有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/30
摘要：本发明涉及用于半导体层的氢钝化的方法，其中所述钝化通过使用电弧等离子体源进行，涉及根据该方法制备的钝化的半导体层及其用途。

一种实现硅表面结构平滑的方法与设备-201210579182.3
发明人：王刚;施毅;赵毅;汪翌;吴汪然;孙家宝;王军砖;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/30
摘要：一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]用于受控层传送的方法有效

专利文献下载